ZHCSL09C April 2020 – December 2020 LM7480-Q1
PRODUCTION DATA
LM7480x-Q1 理想二極管控制器可驅(qū)動(dòng)和控制外部背對(duì)背 N 溝道 MOSFET,從而模擬具有電源路徑開/關(guān)控制和過壓保護(hù)的理想二極管整流器。3V 至 65V 的寬輸入電源電壓可保護(hù)和控制 12V 和 24V 汽車類電池供電的 ECU。該器件可以承受并保護(hù)負(fù)載免受低至 –65V 的負(fù)電源電壓的影響。集成的理想二極管控制器 (DGATE) 可驅(qū)動(dòng)第一個(gè) MOSFET 來代替肖特基二極管,以實(shí)現(xiàn)反向輸入保護(hù)和輸出電壓保持。在電源路徑中使用了第二個(gè) MOSFET 的情況下,該器件允許負(fù)載斷開(開/關(guān)控制)并使用 HGATE 控制提供過壓保護(hù)。該器件具有可調(diào)節(jié)過壓切斷保護(hù)功能。LM7480-Q1 有兩種型號(hào):LM74800-Q1 和 LM74801-Q1。LM74800-Q1 使用線性穩(wěn)壓和比較器方案來實(shí)現(xiàn)反向電流阻斷功能,而 LM74801-Q1 支持基于比較器的方案。通過功率 MOSFET 的共漏極配置,可以使用另一個(gè)理想二極管將中點(diǎn)用于 OR-ing 設(shè)計(jì)。LM7480x-Q1 的最大額定電壓為 65V。通過在共源極拓?fù)渲袨槠骷渲猛獠?MOSFET,可以保護(hù)負(fù)載免受過壓瞬態(tài)(例如 24V 電池系統(tǒng)中未抑制的 200V 負(fù)載突降)的影響。
| 器件型號(hào) | 封裝(1) | 封裝尺寸(標(biāo)稱值) |
|---|---|---|
| LM74800-Q1、 LM74801-Q1 | WSON (12) | 3.0mm x 3.0mm |
具有開關(guān)輸出的理想二極管
具有 200V 負(fù)載突降保護(hù)的理想二極管