ZHCSXB0A October 2024 – December 2024 LM61480T-Q1 , LM61495T-Q1
PRODUCTION DATA
- 1
- 1 特性
- 2 應(yīng)用
- 3 說(shuō)明
- 4 器件比較表
- 5 引腳配置和功能
- 6 規(guī)格
-
7 詳細(xì)說(shuō)明
- 7.1 概述
- 7.2 功能方框圖
- 7.3
特性說(shuō)明
- 7.3.1 輸出電壓選擇
- 7.3.2 使能 EN 引腳和 VIN UVLO 用途
- 7.3.3 用于同步的 SYNC/MODE
- 7.3.4 時(shí)鐘鎖定
- 7.3.5 可調(diào)開關(guān)頻率
- 7.3.6 RESET 輸出運(yùn)行
- 7.3.7 內(nèi)部 LDO、VCC UVLO 和 BIAS 輸入
- 7.3.8 自舉電壓和 VCBOOT-UVLO（CBOOT 引腳）
- 7.3.9 SW 節(jié)點(diǎn)壓擺率可調(diào)
- 7.3.10 展頻
- 7.3.11 軟啟動(dòng)和從壓降中恢復(fù)
- 7.3.12 過(guò)流和短路保護(hù)
- 7.3.13 斷續(xù)
- 7.3.14 熱關(guān)斷
- 7.4 器件功能模式
- 8 應(yīng)用和實(shí)施
- 9 器件和文檔支持
- 10修訂歷史記錄
- 11機(jī)械、封裝和可訂購(gòu)信息
封裝選項(xiàng)
機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- VAM|16
散熱焊盤機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- VAM|16
訂購(gòu)信息
7.3.9 SW 節(jié)點(diǎn)壓擺率可調(diào)
為了在效率方面優(yōu)化 EMI，LM614xxT-Q1 允許在導(dǎo)通期間通過(guò)電阻器選擇高側(cè) FET 驅(qū)動(dòng)器的強(qiáng)度。請(qǐng)參閱圖 7-10。通過(guò) RBOOT 引腳消耗的電流（虛線環(huán)路）被放大并通過(guò) CBOOT 消耗（虛線）。該電流用于導(dǎo)通高側(cè)電源 MOSEFT。
圖 7-10 顯示 RBOOT 功能的簡(jiǎn)化電路RBOOT 短接至 CBOOT 時(shí)，上升時(shí)間很短。在這種情況下，SW 節(jié)點(diǎn)諧波以每十倍頻程 –40dBμV 的速率滾降，直到達(dá)到 150MHz 左右，然后諧波開始以每十倍頻–40dBμV 的速率滾降。延長(zhǎng)上升時(shí)間會(huì)降低發(fā)生此轉(zhuǎn)換時(shí)的頻率，在較高頻率下提供更多滾降，從而在 EMI 掃描方面提供更大的裕度。如果通過(guò) 700Ω 連接 CBOOT 和 RBOOT，則高側(cè)導(dǎo)通導(dǎo)致的壓擺時(shí)間限制為不超過(guò) 13ns。將 13.5V 轉(zhuǎn)換為 5V 時(shí)，其典型值為 10ns。在大多數(shù)情況下，這種較長(zhǎng)的上升時(shí)間使 SW 節(jié)點(diǎn)諧波中的能量都能在 50MHz 附近滾降。滾降諧波可以消除許多應(yīng)用中對(duì)屏蔽和共模扼流圈的需求。請(qǐng)注意，上升時(shí)間隨著輸入電壓的增加而延長(zhǎng)。隨著 RBOOT 電阻升高，存儲(chǔ)電荷產(chǎn)生的噪聲也顯著降低。以較低壓擺率進(jìn)行開關(guān)會(huì)降低效率。請(qǐng)注意優(yōu)化該電阻，以在不產(chǎn)生過(guò)多熱量的情況下提供出色的 EMI。如果 RBOOT 保持開路，則上升時(shí)間設(shè)置為最大值。