ZHCSXM1A December 2024 – February 2025 ISO6520-Q1 , ISO6521-Q1
PRODUCTION DATA
請參考 PDF 數(shù)據(jù)表獲取器件具體的封裝圖。
| 熱指標(biāo) (1) | ISO652x-Q1 | 單位 | |
|---|---|---|---|
| D (SOIC-8) | |||
| 8 引腳 | |||
| RθJA | 結(jié)至環(huán)境熱阻 | 104.6 | °C/W |
| RθJC(top) | 結(jié)至外殼(頂部)熱阻 | 48.9 | °C/W |
| RθJB | 結(jié)至電路板熱阻 | 52.9 | °C/W |
| ψJT | 結(jié)至頂部特征參數(shù) | 7.9 | °C/W |
| ψJB | 結(jié)至電路板特征參數(shù) | 52.1 | °C/W |