產(chǎn)品詳情

Rating Automotive Integrated isolated power No Isolation rating Functional Number of channels 2 Forward/reverse channels 2 forward / 0 reverse Default output High, Low Data rate (max) (Mbps) 50 Protocols GPIO, PWM Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 450 CMTI (min) (V/μs) 100000 Operating temperature range (°C) -40 to 125 Supply voltage (max) (V) 5.5 Supply voltage (min) (V) 1.71 Propagation delay time (typ) (μs) 0.011 Creepage (min) (mm) 2.2 Clearance (min) (mm) 2.2
Rating Automotive Integrated isolated power No Isolation rating Functional Number of channels 2 Forward/reverse channels 2 forward / 0 reverse Default output High, Low Data rate (max) (Mbps) 50 Protocols GPIO, PWM Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 450 CMTI (min) (V/μs) 100000 Operating temperature range (°C) -40 to 125 Supply voltage (max) (V) 5.5 Supply voltage (min) (V) 1.71 Propagation delay time (typ) (μs) 0.011 Creepage (min) (mm) 2.2 Clearance (min) (mm) 2.2
SOIC (D) 8 29.4 mm2 4.9 x 6
  • 雙通道 CMOS 輸出功能隔離器
  • 50Mbps 數(shù)據(jù)速率
  • 具有符合 AEC-Q100 標準的下列特性：
    • 器件溫度等級 1：–40°C 至 +125°C 環(huán)境工作溫度范圍
  • 穩(wěn)健可靠的 SiO2 隔離柵（CMTI 典型值為 ±150kV/μs）
  • 功能隔離(8-D)：
    • 450VRMS、637VDC 工作電壓
    • 707VRMS、1000VDC 瞬態(tài)電壓 (60s)
  • 寬電源電壓范圍：1.71V 到 1.89V 和 2.25V 到 5.5V
  • 1.71V 至 5.5V 電平轉(zhuǎn)換
  • 默認輸出高電平 (ISO652x-Q1) 和低電平 (ISO652xF-Q1) 選項
  • 3.3V、1Mbps 時每通道電流典型值為 1.8mA
  • 低傳播延遲：3.3V 時為 11ns（典型值）
  • 優(yōu)異的電磁兼容性 (EMC)
    • 系統(tǒng)級 ESD、EFT 和浪涌抗擾度
    • 超低輻射
  • 窄體 SOIC (8-D) 封裝選項
  • 雙通道 CMOS 輸出功能隔離器
  • 50Mbps 數(shù)據(jù)速率
  • 具有符合 AEC-Q100 標準的下列特性：
    • 器件溫度等級 1：–40°C 至 +125°C 環(huán)境工作溫度范圍
  • 穩(wěn)健可靠的 SiO2 隔離柵（CMTI 典型值為 ±150kV/μs）
  • 功能隔離(8-D)：
    • 450VRMS、637VDC 工作電壓
    • 707VRMS、1000VDC 瞬態(tài)電壓 (60s)
  • 寬電源電壓范圍：1.71V 到 1.89V 和 2.25V 到 5.5V
  • 1.71V 至 5.5V 電平轉(zhuǎn)換
  • 默認輸出高電平 (ISO652x-Q1) 和低電平 (ISO652xF-Q1) 選項
  • 3.3V、1Mbps 時每通道電流典型值為 1.8mA
  • 低傳播延遲：3.3V 時為 11ns（典型值）
  • 優(yōu)異的電磁兼容性 (EMC)
    • 系統(tǒng)級 ESD、EFT 和浪涌抗擾度
    • 超低輻射
  • 窄體 SOIC (8-D) 封裝選項

ISO652x-Q1 器件是高性能雙通道功能隔離器，適用于需要與非安全應(yīng)用隔離的成本敏感、空間受限型應(yīng)用。該隔離柵支持 450VRMS 的工作電壓，以及 1000VDC 的瞬態(tài)過壓。

在隔離互補金屬氧化物半導(dǎo)體 (CMOS) 或者低電壓互補金屬氧化物半導(dǎo)體 (LVCMOS) 數(shù)字 I/O 的同時，ISO652x-Q1 器件還可提供高電磁抗擾度和低輻射，同時具備低功耗特性。每條隔離通道的邏輯輸入和輸出緩沖器均由 TI 的雙電容二氧化硅 (SiO2) 絕緣柵相隔離。ISO6520-Q1 具有 2 個同向隔離通道。ISO6521-Q1 具有 2 個隔離通道，每個方向各一個通道。如果輸入功率或信號出現(xiàn)損失，不帶后綴 F 的器件默認輸出高電平，帶后綴 F 的器件默認輸出低電平。更多詳細信息，請參見器件功能模式部分。

這些器件有助于防止數(shù)據(jù)總線上的混合電壓域系統(tǒng)（例如 CAN 和 LIN）之間的接地環(huán)路和噪聲電流導(dǎo)致數(shù)據(jù)損壞。得益于芯片設(shè)計和布局布線技術(shù)，ISO652x-Q1 器件的電磁兼容性得到了顯著增強，可緩解系統(tǒng)級 ESD 問題并符合輻射標準。

ISO652x-Q1 器件是高性能雙通道功能隔離器，適用于需要與非安全應(yīng)用隔離的成本敏感、空間受限型應(yīng)用。該隔離柵支持 450VRMS 的工作電壓，以及 1000VDC 的瞬態(tài)過壓。

在隔離互補金屬氧化物半導(dǎo)體 (CMOS) 或者低電壓互補金屬氧化物半導(dǎo)體 (LVCMOS) 數(shù)字 I/O 的同時，ISO652x-Q1 器件還可提供高電磁抗擾度和低輻射，同時具備低功耗特性。每條隔離通道的邏輯輸入和輸出緩沖器均由 TI 的雙電容二氧化硅 (SiO2) 絕緣柵相隔離。ISO6520-Q1 具有 2 個同向隔離通道。ISO6521-Q1 具有 2 個隔離通道，每個方向各一個通道。如果輸入功率或信號出現(xiàn)損失，不帶后綴 F 的器件默認輸出高電平，帶后綴 F 的器件默認輸出低電平。更多詳細信息，請參見器件功能模式部分。

這些器件有助于防止數(shù)據(jù)總線上的混合電壓域系統(tǒng)（例如 CAN 和 LIN）之間的接地環(huán)路和噪聲電流導(dǎo)致數(shù)據(jù)損壞。得益于芯片設(shè)計和布局布線技術(shù)，ISO652x-Q1 器件的電磁兼容性得到了顯著增強，可緩解系統(tǒng)級 ESD 問題并符合輻射標準。
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設(shè)計和開發(fā)

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評估板

ISO6521REUEVM — ISO6521 適用于數(shù)字信號的雙通道功能隔離器評估模塊

ISO6521REUEVM 是一款用于評估采用 8 引腳 DFN 封裝的雙通道 ISO6521 功能隔離器的評估模塊 (EVM)。此 EVM 具有其他封裝，可讓用戶靈活地添加元件來測試各種常見應(yīng)用。此 EVM 還具有多個測試點，支持使用較少的外部元件來評估相應(yīng)器件。

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包含信息：
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  • REACH
  • 器件標識
  • 引腳鍍層/焊球材料
  • MSL 等級/回流焊峰值溫度
  • MTBF/時基故障估算
  • 材料成分
  • 鑒定摘要
  • 持續(xù)可靠性監(jiān)測
包含信息：
  • 制造廠地點
  • 封裝廠地點

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