產(chǎn)品詳情

Rating Automotive Integrated isolated power No Isolation rating Functional Number of channels 2 Forward/reverse channels 1 forward / 1 reverse Default output High, Low Data rate (max) (Mbps) 50 Protocols GPIO, PWM, UART CMTI (min) (V/μs) 100000 Operating temperature range (°C) -40 to 125 Supply voltage (max) (V) 5.5 Supply voltage (min) (V) 1.71 Propagation delay time (typ) (μs) 0.011 Current consumption per channel (1 Mbps) (typ) (mA) 1.8 Creepage (min) (mm) 2.2 Clearance (min) (mm) 2.2
Rating Automotive Integrated isolated power No Isolation rating Functional Number of channels 2 Forward/reverse channels 1 forward / 1 reverse Default output High, Low Data rate (max) (Mbps) 50 Protocols GPIO, PWM, UART CMTI (min) (V/μs) 100000 Operating temperature range (°C) -40 to 125 Supply voltage (max) (V) 5.5 Supply voltage (min) (V) 1.71 Propagation delay time (typ) (μs) 0.011 Current consumption per channel (1 Mbps) (typ) (mA) 1.8 Creepage (min) (mm) 2.2 Clearance (min) (mm) 2.2
SOIC (D) 8 29.4 mm2 4.9 x 6
  • 雙通道 CMOS 輸出功能隔離器
  • 50Mbps 數(shù)據(jù)速率
  • 具有符合 AEC-Q100 標(biāo)準(zhǔn)的下列特性：
    • 器件溫度等級(jí) 1：–40°C 至 +125°C 環(huán)境工作溫度范圍
  • 穩(wěn)健可靠的 SiO2 隔離柵（CMTI 典型值為 ±150kV/μs）
  • 功能隔離(8-D)：
    • 450VRMS、637VDC 工作電壓
    • 707VRMS、1000VDC 瞬態(tài)電壓 (60s)
  • 寬電源電壓范圍：1.71V 到 1.89V 和 2.25V 到 5.5V
  • 1.71V 至 5.5V 電平轉(zhuǎn)換
  • 默認(rèn)輸出高電平 (ISO652x-Q1) 和低電平 (ISO652xF-Q1) 選項(xiàng)
  • 3.3V、1Mbps 時(shí)每通道電流典型值為 1.8mA
  • 低傳播延遲：3.3V 時(shí)為 11ns（典型值）
  • 優(yōu)異的電磁兼容性 (EMC)
    • 系統(tǒng)級(jí) ESD、EFT 和浪涌抗擾度
    • 超低輻射
  • 窄體 SOIC (8-D) 封裝選項(xiàng)
  • 雙通道 CMOS 輸出功能隔離器
  • 50Mbps 數(shù)據(jù)速率
  • 具有符合 AEC-Q100 標(biāo)準(zhǔn)的下列特性：
    • 器件溫度等級(jí) 1：–40°C 至 +125°C 環(huán)境工作溫度范圍
  • 穩(wěn)健可靠的 SiO2 隔離柵（CMTI 典型值為 ±150kV/μs）
  • 功能隔離(8-D)：
    • 450VRMS、637VDC 工作電壓
    • 707VRMS、1000VDC 瞬態(tài)電壓 (60s)
  • 寬電源電壓范圍：1.71V 到 1.89V 和 2.25V 到 5.5V
  • 1.71V 至 5.5V 電平轉(zhuǎn)換
  • 默認(rèn)輸出高電平 (ISO652x-Q1) 和低電平 (ISO652xF-Q1) 選項(xiàng)
  • 3.3V、1Mbps 時(shí)每通道電流典型值為 1.8mA
  • 低傳播延遲：3.3V 時(shí)為 11ns（典型值）
  • 優(yōu)異的電磁兼容性 (EMC)
    • 系統(tǒng)級(jí) ESD、EFT 和浪涌抗擾度
    • 超低輻射
  • 窄體 SOIC (8-D) 封裝選項(xiàng)

ISO652x-Q1 器件是高性能雙通道功能隔離器，適用于需要與非安全應(yīng)用隔離的成本敏感、空間受限型應(yīng)用。該隔離柵支持 450VRMS 的工作電壓，以及 1000VDC 的瞬態(tài)過(guò)壓。

在隔離互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體 (CMOS) 或者低電壓互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體 (LVCMOS) 數(shù)字 I/O 的同時(shí)，ISO652x-Q1 器件還可提供高電磁抗擾度和低輻射，同時(shí)具備低功耗特性。每條隔離通道的邏輯輸入和輸出緩沖器均由 TI 的雙電容二氧化硅 (SiO2) 絕緣柵相隔離。ISO6520-Q1 具有 2 個(gè)同向隔離通道。ISO6521-Q1 具有 2 個(gè)隔離通道，每個(gè)方向各一個(gè)通道。如果輸入功率或信號(hào)出現(xiàn)損失，不帶后綴 F 的器件默認(rèn)輸出高電平，帶后綴 F 的器件默認(rèn)輸出低電平。更多詳細(xì)信息，請(qǐng)參見(jiàn)器件功能模式部分。

這些器件有助于防止數(shù)據(jù)總線上的混合電壓域系統(tǒng)（例如 CAN 和 LIN）之間的接地環(huán)路和噪聲電流導(dǎo)致數(shù)據(jù)損壞。得益于芯片設(shè)計(jì)和布局布線技術(shù)，ISO652x-Q1 器件的電磁兼容性得到了顯著增強(qiáng)，可緩解系統(tǒng)級(jí) ESD 問(wèn)題并符合輻射標(biāo)準(zhǔn)。

ISO652x-Q1 器件是高性能雙通道功能隔離器，適用于需要與非安全應(yīng)用隔離的成本敏感、空間受限型應(yīng)用。該隔離柵支持 450VRMS 的工作電壓，以及 1000VDC 的瞬態(tài)過(guò)壓。

在隔離互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體 (CMOS) 或者低電壓互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體 (LVCMOS) 數(shù)字 I/O 的同時(shí)，ISO652x-Q1 器件還可提供高電磁抗擾度和低輻射，同時(shí)具備低功耗特性。每條隔離通道的邏輯輸入和輸出緩沖器均由 TI 的雙電容二氧化硅 (SiO2) 絕緣柵相隔離。ISO6520-Q1 具有 2 個(gè)同向隔離通道。ISO6521-Q1 具有 2 個(gè)隔離通道，每個(gè)方向各一個(gè)通道。如果輸入功率或信號(hào)出現(xiàn)損失，不帶后綴 F 的器件默認(rèn)輸出高電平，帶后綴 F 的器件默認(rèn)輸出低電平。更多詳細(xì)信息，請(qǐng)參見(jiàn)器件功能模式部分。

這些器件有助于防止數(shù)據(jù)總線上的混合電壓域系統(tǒng)（例如 CAN 和 LIN）之間的接地環(huán)路和噪聲電流導(dǎo)致數(shù)據(jù)損壞。得益于芯片設(shè)計(jì)和布局布線技術(shù)，ISO652x-Q1 器件的電磁兼容性得到了顯著增強(qiáng)，可緩解系統(tǒng)級(jí) ESD 問(wèn)題并符合輻射標(biāo)準(zhǔn)。
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設(shè)計(jì)和開發(fā)

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評(píng)估板

ISO6521REUEVM — ISO6521 適用于數(shù)字信號(hào)的雙通道功能隔離器評(píng)估模塊

ISO6521REUEVM 是一款用于評(píng)估采用 8 引腳 DFN 封裝的雙通道 ISO6521 功能隔離器的評(píng)估模塊 (EVM)。此 EVM 具有其他封裝，可讓用戶靈活地添加元件來(lái)測(cè)試各種常見(jiàn)應(yīng)用。此 EVM 還具有多個(gè)測(cè)試點(diǎn)，支持使用較少的外部元件來(lái)評(píng)估相應(yīng)器件。

用戶指南: PDF | HTML
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封裝 引腳 CAD 符號(hào)、封裝和 3D 模型
SOIC (D) 8 Ultra Librarian

訂購(gòu)和質(zhì)量

包含信息：
  • RoHS
  • REACH
  • 器件標(biāo)識(shí)
  • 引腳鍍層/焊球材料
  • MSL 等級(jí)/回流焊峰值溫度
  • MTBF/時(shí)基故障估算
  • 材料成分
  • 鑒定摘要
  • 持續(xù)可靠性監(jiān)測(cè)
包含信息：
  • 制造廠地點(diǎn)
  • 封裝廠地點(diǎn)

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