ZHCSDT0C june 2015 – may 2023 ISO5851
PRODUCTION DATA
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如果在由雙極輸出電源供電的正常運行期間關(guān)斷 IGBT,輸出電壓會被硬鉗位為 VEE2。如果輸出電源為單極,那么可采用有源米勒鉗位,這種鉗位會在一條低阻抗路徑上灌入米勒電流,從而防止 IGBT 在高電壓瞬態(tài)條件下發(fā)生動態(tài)導(dǎo)通。
當(dāng)發(fā)生去飽和故障時,器件會通過隔離隔柵發(fā)送故障信號,以將輸入端的 FLT 輸出拉為低電平并阻斷隔離器的輸入。FLT 的輸出狀態(tài)將被鎖存,可通過 RST 輸入上的低電平有效脈沖復(fù)位。
如果在由雙極輸出電源供電的正常運行期間關(guān)斷 IGBT,輸出電壓會被硬鉗位為 VEE2。如果輸出電源為單極,那么可采用有源米勒鉗位,這種鉗位會在一條低阻抗路徑上灌入米勒電流,從而防止 IGBT 在高電壓瞬態(tài)條件下發(fā)生動態(tài)導(dǎo)通。
柵極驅(qū)動器是否準(zhǔn)備就緒待運行由兩個欠壓鎖定電路控制,這兩個電路會監(jiān)視輸入端和輸出端的電源。如果任意一端電源不足,RDY 輸出會變?yōu)榈碗娖?;否則,該輸出為高電平。
ISO5851 采用 16 引腳小外形尺寸集成電路 (SOIC) 封裝。此器件的額定工作環(huán)境溫度范圍為 -40°C 至 +125°C。