ZHCSJU0B August 2019 – January 2021 DRV8874-Q1
PRODUCTION DATA
即使發(fā)生了硬短路事件,每個(gè) MOSFET 上的模擬電流限制電路也會(huì)限制器件輸出的峰值電流。
如果輸出電流超過過流閾值 IOCP 且持續(xù)時(shí)間超過 tOCP,則會(huì)禁用 H 橋中的所有 MOSFET 并將 nFAULT 引腳驅(qū)動(dòng)為低電平??梢酝ㄟ^ IMODE 引腳配置過流響應(yīng),如表 7-6 中所示。
在自動(dòng)重試模式下,MOSFET 會(huì)被禁用,nFAULT 引腳將在 tRETRY 的持續(xù)時(shí)間內(nèi)被驅(qū)動(dòng)為低電平。在 tRETRY 之后,系統(tǒng)會(huì)根據(jù) EN/IN1 和 PH/IN2 引腳的狀態(tài)重新啟用 MOSFET。 如果過流條件仍然存在,則會(huì)重復(fù)此周期,否則器件將恢復(fù)正常運(yùn)行。
在鎖閉模式下,會(huì)一直禁用 MOSFET 并將 nFAULT 引腳驅(qū)動(dòng)為低電平,直到通過 nSLEEP 引腳或通過切斷 VM 電源重置器件為止。
在Topic Link Label7.3.2.3中,OCP 行為略有改動(dòng)。如果檢測到過流事件,將只禁用相應(yīng)的半橋并將 nFAULT 引腳驅(qū)動(dòng)為低電平。另一個(gè)半橋會(huì)繼續(xù)正常運(yùn)行。這樣,器件就可以在驅(qū)動(dòng)獨(dú)立的負(fù)載時(shí)管理獨(dú)立的故障事件。如果在兩個(gè)半橋中都檢測到過流事件,將同時(shí)禁用兩個(gè)半橋并將 nFAULT 引腳驅(qū)動(dòng)為低電平。在自動(dòng)重試模式下,兩個(gè)半橋共享同一個(gè)過流重試計(jì)時(shí)器。如果兩個(gè)半橋先后發(fā)生過流事件但 tRETRY 尚未過期,則第一個(gè)半橋的重試計(jì)時(shí)器會(huì)重置為 tRETRY;當(dāng)此重試計(jì)時(shí)器過期之后,兩個(gè)半橋?qū)⒃俅瓮瑫r(shí)啟用。