DRV887x-Q1 系列器件是能夠驅(qū)動(dòng)高電流的集成式功率 MOSFET 器件,因此應(yīng)特別注意布局設(shè)計(jì)和外部元件的放置。下面提供了一些設(shè)計(jì)和布局指南。
- 對(duì)于 VM 至 GND 旁路電容器、VCP 至 VM 電荷泵儲(chǔ)能電容器和電荷泵飛跨電容器,應(yīng)使用低 ESR 陶瓷電容器。建議使用 X5R 和 X7R 類(lèi)型的電容器。
- VM 電源和 VCP、CPH、CPL 電荷泵電容器應(yīng)盡可能靠近器件放置,以最大限度地減小回路電感。
- VM 電源大容量電容器可以是陶瓷電容器或電解電容器,但也應(yīng)盡可能靠近器件放置,以最大限度地減小回路電感。
- VM、OUT1、OUT2 和 PGND 承載著從電源傳輸?shù)捷敵觥⑷缓笾匦聜骰氐浇拥囟说母唠娏?。?duì)于這些跡線(xiàn),應(yīng)使用厚金屬布線(xiàn)(如果可行)。
- PGND 和 GND 應(yīng)同時(shí)直接連接到 PCB 接地平面上。不能將它們用于相互隔離用途。
- 應(yīng)通過(guò)熱通路將器件散熱焊盤(pán)連接到 PCB 頂層接地平面和內(nèi)部接地平面(如果可用)上,以獲得最強(qiáng)的 PCB 散熱能力。
- “封裝圖”一節(jié)中提供了建議用于熱通路的焊盤(pán)圖案。
- 應(yīng)盡可能擴(kuò)大連接到散熱焊盤(pán)的銅平面面積,以確保獲得最佳散熱效果。