ZHCSY74 May 2023 DRV8334-Q1
PRODMIX
DRV8334-Q1 采用集成式柵源電壓 (VGS) 監(jiān)測器來監(jiān)測外部 MOSFET 的狀態(tài)。當(dāng)命令 MOSFET 的輸出狀態(tài)為關(guān)閉(INxx = 低電平)時,監(jiān)測器會確保輸出保持關(guān)斷狀態(tài)。如果在任何時候,VGS 電壓超過 VGS 閾值的持續(xù)時間超過 tvgs_dg,則 nFAULT 引腳會被驅(qū)動為低電平,并為相應(yīng)的輸出通道設(shè)置 VGS_XX 標志。當(dāng) MOSFET 的輸出狀態(tài)被命令為開啟(INxx = 高電平)時,監(jiān)視器會驗證輸出是否開啟,以及 MOSFET 是否在足夠的 VGS 驅(qū)動下以實現(xiàn)強增強。如果在任何時候,VGS 降至 VGS 閾值以下的持續(xù)時間超過 tvgs_dg,則 nFAULT 引腳會被驅(qū)動為低電平,并為相應(yīng)的輸出通道設(shè)置 VGS_XX 標志。VGS 監(jiān)測消隱時間可以通過 VGS_BLK 寄存器字段進行調(diào)整。TI 建議根據(jù)外部 MOSFET 的預(yù)期開關(guān)時間設(shè)置該參數(shù)值。VGS 檢測抗尖峰脈沖時間可以通過 VGS_DEG 寄存器字段進行調(diào)整。在 PWM 上升/下降信號之后經(jīng)過 VGS 消隱時間后,抗尖峰脈沖計時器才會啟動。TI 建議根據(jù)系統(tǒng)噪聲級別和可接受的容錯時序設(shè)置該參數(shù)值。