ZHCSY74 May 2023 DRV8334-Q1
PRODMIX
表 7-9 列出了控制寄存器的存儲(chǔ)器映射寄存器。表 7-9 中未列出的所有寄存器偏移地址都被視為保留的位置，并且不得修改寄存器內(nèi)容。
| 地址 | 首字母縮寫詞 | 寄存器名稱 | 部分 |
|---|---|---|---|
| 1Ah | IC_CTRL1 | IC 控制寄存器 1 | 節(jié) 7.2.1 |
| 1Bh | IC_CTRL2 | IC 控制寄存器 2 | 節(jié) 7.2.2 |
| 1Ch | IC_CTRL3 | IC 控制寄存器 3 | 節(jié) 7.2.3 |
| 1Eh | GD_CTRL1 | 柵極驅(qū)動(dòng)控制寄存器 1 | 節(jié) 7.2.4 |
| 1Fh | GD_CTRL2 | 柵極驅(qū)動(dòng)控制寄存器 2 | 節(jié) 7.2.5 |
| 21h | GD_CTRL3 | 柵極驅(qū)動(dòng)控制寄存器 3 | 節(jié) 7.2.6 |
| 22h | GD_CTRL3B | 柵極驅(qū)動(dòng)控制寄存器 3B | 節(jié) 7.2.7 |
| 23h | GD_CTRL4 | 柵極驅(qū)動(dòng)控制寄存器 4 | 節(jié) 7.2.8 |
| 24h | GD_CTRL5 | 柵極驅(qū)動(dòng)控制寄存器 5 | 節(jié) 7.2.9 |
| 25h | GD_CTRL6 | 柵極驅(qū)動(dòng)控制寄存器 6 | 節(jié) 7.2.10 |
| 26h | GD_CTRL7 | 柵極驅(qū)動(dòng)控制寄存器 7 | 節(jié) 7.2.11 |
| 29h | CSA_CTRL | CSA 控制寄存器 | 節(jié) 7.2.12 |
| 2Bh | MON_CTRL1 | 監(jiān)測控制寄存器 1 | 節(jié) 7.2.13 |
| 2Ch | MON_CTRL2 | 監(jiān)測控制寄存器 2 | 節(jié) 7.2.14 |
| 2Dh | MON_CTRL3 | 監(jiān)測控制寄存器 3 | 節(jié) 7.2.15 |
| 2Eh | MON_CTRL4 | 監(jiān)測控制寄存器 4 | 節(jié) 7.2.16 |
| 36h | SPI_TEST | SPI 測試寄存器 | 節(jié) 7.2.17 |
| 48h | OTP_USR | OTP 用戶控制 | 節(jié) 7.2.18 |
復(fù)雜的位訪問類型經(jīng)過編碼可適應(yīng)小型表單元。表 7-10 展示了適用于此部分中訪問類型的代碼。
| 訪問類型 | 代碼 | 說明 |
|---|---|---|
| 讀取類型 | ||
| R | R | 讀取 |
| R-0 | R -0 | 讀取 返回 0 |
| 寫入類型 | ||
| W | W | 寫入 |
| 復(fù)位或默認(rèn)值 | ||
| -n | 復(fù)位后的值或默認(rèn)值 | |
表 7-11 展示了 IC_CTRL1。
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| 位 | 字段 | 類型 | 復(fù)位 | 說明 |
|---|---|---|---|---|
| 15-1 | RESERVED | R | 0b | 保留 |
| 0 | VDDSDO_SEL | R/W | 0b | VDDSDO 穩(wěn)壓器輸出選擇位。該位決定 3.3V 模式或 5V 模式之間 SDO 和 PHCx 的 VOH 電平。輸入緩沖器的 VIH/VIL 不受 VDDSDO_SEL 位的影響。在設(shè)置 VDDSDO_SEL 之前，需要正確配置 VDDSDO_MON_LVL。
|
表 7-12 展示了 IC_CTRL2。
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| 位 | 字段 | 類型 | 復(fù)位 | 說明 |
|---|---|---|---|---|
| 15 | ENABLE_DRV | R/W | 0b | 啟用前置驅(qū)動(dòng)器位。如果檢測到一個(gè)或多個(gè)前置驅(qū)動(dòng)器關(guān)斷條件并且故障標(biāo)志設(shè)置為 1b 并且 ALL_CH 為 1b 或者 DRVOFF 驅(qū)動(dòng)為高電平，則該位會(huì)清除為 0b。當(dāng)故障條件存在或 DRVOFF 為高電平時(shí)，器件會(huì)強(qiáng)制將 ENABLE_DRV 位設(shè)為 0b。上電時(shí)，對(duì) ENABLE_DRV 的寫入訪問將被忽略，并且該位不能設(shè)置為 1，直到 nFAULT 變?yōu)楦唠娖健FAULT 變?yōu)楦唠娖胶?，等?5us 并將 ENABLE_DRV 設(shè)置為 1b。在初始設(shè)置期間，建議在 ENABLE_DRV 設(shè)置為 1b 之前設(shè)置柵極驅(qū)動(dòng)電流 IDRVx 參數(shù)。
|
| 14 | MODE_NSLEEP | R/W | 0b | nSLEEP 模式。
|
| 13 | CFG_CRC_EN | R/W | 0b | 啟用配置數(shù)據(jù) CRC 功能
|
| 12 | CLKMON_EN | R/W | 0b | 時(shí)鐘監(jiān)測啟用
|
| 11 | CSA_EN | R/W | 0b | 電流感測放大器啟用。如果 GVDD_UV_MODE 為 0b（警告模式），則 MCU 必須在 CSA_EN 位設(shè)置為 1b 之前讓 GVDD_UV 標(biāo)志保持為 0b。如果 GVDD_UV_MODE 為 1b（故障模式），則 IC 會(huì)在檢測到 GVDD_UV 時(shí)禁用 CSA 放大器。
|
| 10 | CSA_AZ_DIS | R/W | 0b | 電流感測放大器自動(dòng)置零功能禁用
|
| 9 | RESERVED | R | 0b | 保留 |
| 8 | GVDD_MODE | R/W | 0b | GVDD 電荷泵 LDO 模式控制
|
| 7-6 | VCP_MODE | R/W | 00b | VCP/TCP 模式控制
|
| 5-4 | RESERVED | R | 0b | 保留 |
| 3-1 | LOCK | R/W | 011b | 鎖定和解鎖寄存器設(shè)置 未列出的位設(shè)置無效。
|
| 0 | CLR_FLT | R/W | 0b | 清除故障。檢測到故障事件并設(shè)置故障標(biāo)志后，TI 建議在單獨(dú)的 SPI 幀中首先發(fā)出 CLR_FLT 命令，然后發(fā)出 ENABLE_DRV 命令。如果在同一 SPI 幀中發(fā)出 CLR_FLT 和 ENABLE_DRV 命令，則 CLR_FLT 具有更高優(yōu)先級(jí)；如果故障標(biāo)志已鎖存且器件正在等待 CLR_FLT，則系統(tǒng)不會(huì)設(shè)置 ENABLE_DRV。
|
表 7-13 展示了 IC_CTRL3。
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| 位 | 字段 | 類型 | 復(fù)位 | 說明 |
|---|---|---|---|---|
| 15 | SPI_CRC_EN | R/W | 1b | SPI CRC 啟用
|
| 14 | WARN_MODE | R/W | 0b | 警告 nFAULT 模式；控制警告事件的 nFAULT 響應(yīng)
|
| 13 | RESERVED | R | 0b | 保留 |
| 12 | DIS_SSC | R/W | 0b | TI 內(nèi)部設(shè)計(jì)參數(shù)：除非 TI 通知，否則不需要進(jìn)行任何更改。該位會(huì)禁用器件內(nèi)部振蕩器的展頻時(shí)鐘功能
|
| 11 | RESERVED | R | 0b | 保留 |
| 10 | TCP_EN_DLY | R/W | 0b | 器件檢測到 PWM 未處于活動(dòng)狀態(tài)后激活涓流電荷泵的延遲時(shí)間（INHx=INLx=低電平）
|
| 9 | DRVOFF_PDSEL_HS | R/W | 0b | 高側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器的 DROVFF 下拉選擇
|
| 8 | DRVOFF_PDSEL_LS | R/W | 0b | 低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器的 DROVFF 下拉選擇
|
| 7-4 | RESERVED | R | 0b | 保留 |
| 3 | OT_LVL | R/W | 1b | 過熱關(guān)斷閾值選擇
|
| 2 | RESERVED | R | 0b | 保留 |
| 1-0 | OTSD_MODE | R/W | 01b | 過熱關(guān)斷模式
|
表 7-14 展示了 GD_CTRL1。
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| 位 | 字段 | 類型 | 復(fù)位 | 說明 |
|---|---|---|---|---|
| 15 | RESERVED | R | 0b | 保留 |
| 14-12 | PWM_MODE | R/W | 000b | 脈寬調(diào)制 (PWM) 模式。
|
| 11 | RESERVED | R | 0b | 保留 |
| 10-9 | SGD_MODE | R/W | 00b | 智能柵極驅(qū)動(dòng)模式
|
| 8 | SGD_TMP_EN | R/W | 1b | 啟用智能柵極驅(qū)動(dòng)的動(dòng)態(tài)溫度控制。
|
| 7 | STP_MODE | R/W | 0b | 擊穿保護(hù)報(bào)告模式 注： 除 PWM_MODE 000b 之外，STP_MODE 應(yīng)設(shè)置為 1b，否則會(huì)報(bào)告錯(cuò)誤的 STP_FLT 標(biāo)志。
|
| 6 | RESERVED | R | 0b | 保留 |
| 5-3 | DEADT | R/W | 111b | 柵極驅(qū)動(dòng)器死區(qū)時(shí)間
|
| 2 | DEADT_MODE | R/W | 0b | 死區(qū)時(shí)間插入模式。
|
| 1-0 | DEADT_MODE_6X | R/W | 00b | 死區(qū)時(shí)間違例響應(yīng)模式僅適用于 6 PWM 模式。注意：除 6 PWM 模式之外，無論 DEADT_MODE 位如何，都始終插入死區(qū)時(shí)間，并且不會(huì)向 MCU 報(bào)告故障。
|
表 7-15 展示了 GD_CTRL2。
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| 位 | 字段 | 類型 | 復(fù)位 | 說明 |
|---|---|---|---|---|
| 15-12 | RESERVED | R | 0b | 保留 |
| 11-8 | TDRVP | R/W | 0111b | 峰值拉電流上拉驅(qū)動(dòng)時(shí)序
|
| 7-4 | TDRVN_D | R/W | 0001b | 峰值灌電流下拉預(yù)放電時(shí)序
|
| 3-0 | TDRVN | R/W | 0111b | 峰值灌電流下拉驅(qū)動(dòng)時(shí)序。請(qǐng)參閱 TDRVP |
表 7-16 展示了 GD_CTRL3。
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| 位 | 字段 | 類型 | 復(fù)位 | 說明 |
|---|---|---|---|---|
| 15-12 | RESERVED | R | 0b | 保留 |
| 11-8 | TDRVN_SDD | R/W | 0111b | 智能關(guān)斷放電時(shí)序。請(qǐng)參見 TDRVN_D |
| 7-6 | RESERVED | R | 0b | 保留 |
| 5-0 | IDRVN_SD | R/W | 000000b | 智能關(guān)斷驅(qū)動(dòng)電流。 |
表 7-17 展示了 GD_CTRL3B。
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| 位 | 字段 | 類型 | 復(fù)位 | 說明 |
|---|---|---|---|---|
| 15-14 | RESERVED | R | 0b | 保留 |
| 13-8 | IDRVN_D_H | R/W | 000000b | 高側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器的峰值下拉預(yù)放電電流。請(qǐng)參閱 IDRIVE 的說明 |
| 7-6 | RESERVED | R | 0b | 保留 |
| 5-0 | IDRVN_D_L | R/W | 000000b | 低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器的峰值下拉預(yù)放電電流。請(qǐng)參閱 IDRIVE 的說明 |
表 7-18 展示了 GD_CTRL4。
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| 位 | 字段 | 類型 | 復(fù)位 | 說明 |
|---|---|---|---|---|
| 15 | PWM1X_COM | R/W | 0b | 1x PWM 換向控制
|
| 14 | PWM1X_DIR | R/W | 0b | 1x PWM 方向。在 1x PWM 模式下，該位與 INHC (DIR) 輸入進(jìn)行或運(yùn)算 |
| 13-12 | PWM1X_BRAKE | R/W | 00b | 1x PWM 輸出配置
|
| 11-10 | RESERVED | R | 0b | 保留 |
| 9 | IDRVP_CFG | R/W | 0b | IDRVP 配置模式
|
| 8 | IHOLD_SEL | R/W | 0b | 選擇 IHOLD 上拉電流和下拉電流。必須在 PWM 未處于活動(dòng)狀態(tài)（ENABLE_DRV 為 0b）時(shí)配置 IHOLD_SEL 位。
|
| 7-6 | RESERVED | R | 0b | 保留 |
| 5 | DRV_GHA | R/W | 0b | 通過 SPI 命令驅(qū)動(dòng) GHA。PWM_MODE = 101b（SPI 柵極驅(qū)動(dòng)模式）。當(dāng) ENABLE_DRV 為 1b 時(shí)，該位有效。
|
| 4 | DRV_GHB | R/W | 0b | 通過 SPI 命令驅(qū)動(dòng) GHB。PWM_MODE = 101b（SPI 柵極驅(qū)動(dòng)模式）。當(dāng) ENABLE_DRV 為 1b 時(shí)，該位有效。
|
| 3 | DRV_GHC | R/W | 0b | 通過 SPI 命令驅(qū)動(dòng) GHC。PWM_MODE = 101b（SPI 柵極驅(qū)動(dòng)模式）。當(dāng) ENABLE_DRV 為 1b 時(shí)，該位有效。
|
| 2 | DRV_GLA | R/W | 0b | 通過 SPI 命令驅(qū)動(dòng) GLA。PWM_MODE = 101b（SPI 柵極驅(qū)動(dòng)模式）。當(dāng) ENABLE_DRV 為 1b 時(shí)，該位有效。
|
| 1 | DRV_GLB | R/W | 0b | 通過 SPI 命令驅(qū)動(dòng) GLB。PWM_MODE = 101b（SPI 柵極驅(qū)動(dòng)模式）。當(dāng) ENABLE_DRV 為 1b 時(shí)，該位有效。
|
| 0 | DRV_GLC | R/W | 0b | 通過 SPI 命令驅(qū)動(dòng) GLC。PWM_MODE = 101b（SPI 柵極驅(qū)動(dòng)模式）。當(dāng) ENABLE_DRV 為 1b 時(shí)，該位有效。
|
表 7-19 展示了 GD_CTRL5。
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| 位 | 字段 | 類型 | 復(fù)位 | 說明 |
|---|---|---|---|---|
| 15-3 | RESERVED | R | 0b | 保留 |
| 2 | DRVEN_A | R/W | 1b | DRVEN_A = 0 通過無關(guān)斷序列的有源下拉強(qiáng)制將 GHA 和 GLA 設(shè)為低電平。該位對(duì)任何 PWM_MODE 設(shè)置都有效。當(dāng) ENABLE_DRV 為 1b 時(shí)，該位有效。
|
| 1 | DRVEN_B | R/W | 1b | DRVEN_B = 0 通過無關(guān)斷序列的有源下拉強(qiáng)制將 GHB 和 GLB 設(shè)為低電平。該位對(duì)任何 PWM_MODE 設(shè)置都有效。當(dāng) ENABLE_DRV 為 1b 時(shí)，該位有效。
|
| 0 | DRVEN_C | R/W | 1b | DRVEN_C = 0 通過無關(guān)斷序列的有源下拉強(qiáng)制將 GHC 和 GLC 設(shè)為低電平。該位對(duì)任何 PWM_MODE 設(shè)置都有效。當(dāng) ENABLE_DRV 為 1b 時(shí)，該位有效。
|
表 7-20 展示了 GD_CTRL6。
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| 位 | 字段 | 類型 | 復(fù)位 | 說明 |
|---|---|---|---|---|
| 15-14 | RESERVED | R | 0b | 保留 |
| 13-8 | IDRVP_H | R/W | 000000b | 高側(cè)峰值供電上拉電流。如果 IDRVP_CFG = 1b，則 IDRVP_H 有效。如果 IDRVP_CFG = 0b，則 IDRVP_H 無效并被忽略。 |
| 7-6 | RESERVED | R | 0b | 保留 |
| 5-0 | IDRVP_L | R/W | 000000b | 低側(cè)峰值供電上拉電流。如果 IDRVP_CFG = 1b，則 IDRVP_L 有效。如果 IDRVP_CFG = 0b，則 IDRVP_H 無效并被忽略。 |
表 7-21 展示了 GD_CTRL7。
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| 位 | 字段 | 類型 | 復(fù)位 | 說明 |
|---|---|---|---|---|
| 15-14 | IDRV_RATIO_H | R/W | 00b | 高側(cè) IDRVP 與 IDRVN 比率。如果 IDRVP_CFG = 0b 并且 IDRVN_H 的范圍為 00000b (0.7mA) 至 100011b（典型值 247mA），則 IDRV_RATIO_H 有效。如果 IDRVN_H 為 100100b(600mA) 或更高參數(shù)，則 IDRIVE_RATIO_H 不會(huì)影響柵極驅(qū)動(dòng)器性能。如果 IDRVP_CFG = 1b，則 IDRV_RATIO_H 無效并被忽略。
|
| 13-8 | IDRVN_H | R/W | 000000b | 高側(cè)峰值受電下拉電流。請(qǐng)參閱電氣特性表，IDRVN 參數(shù)。 |
| 7-6 | IDRV_RATIO_L | R/W | 00b | 低側(cè) IDRVP 與 IDRVN 比率。如果 IDRVP_CFG = 0b 并且 IDRVN_H 的范圍為 00000b (0.7mA) 至 100011b（典型值 247mA），則 IDRV_RATIO_L 有效。如果 IDRVN_H 為 100100b(600mA) 或更高設(shè)置，則 IDRIVE_RATIO_L 不會(huì)影響柵極驅(qū)動(dòng)器性能。如果 IDRVP_CFG = 1b，則 IDRV_RATIO_L 無效并被忽略。
|
| 5-0 | IDRVN_L | R/W | 000000b | 低側(cè)峰值受電下拉電流。請(qǐng)參閱電氣特性表，IDRVN 參數(shù)。 |
表 7-22 中顯示了 CSA_CTRL。
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| 位 | 字段 | 類型 | 復(fù)位 | 說明 |
|---|---|---|---|---|
| 15 | AREF_DIV | R/W | 0b | VREF 分壓比
|
| 14-12 | RESERVED | R | 0b | 保留 |
| 11-8 | CSA_GAIN_A | R/W | 0000b | SOA 的 CSA 增益?？梢栽?PWM 運(yùn)行期間更新增益。未定義設(shè)置 (1001b - 1111b) 為 40。
|
| 7-4 | CSA_GAIN_B | R/W | 0000b | SOB 的 CSA 增益?？梢栽?PWM 運(yùn)行期間更新增益。未定義設(shè)置 (1001b - 1111b) 為 40。
|
| 3-0 | CSA_GAIN_C | R/W | 0000b | SOC 的 CSA 增益?？梢栽?PWM 運(yùn)行期間更新增益。未定義設(shè)置 (1001b - 1111b) 為 40。
|
表 7-23 展示了 MON_CTRL1。
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| 位 | 字段 | 類型 | 復(fù)位 | 說明 |
|---|---|---|---|---|
| 15-14 | VDRAIN_OV_LVL | R/W | 01b | VDRAIN 過壓閾值電平
|
| 13 | VDRAIN_MON_MODE | R/W | 0b | VDRAIN 監(jiān)測模式，用于監(jiān)測欠壓和過壓
|
| 12 | BST_OV_MODE | R/W | 0b | BST 引腳過壓監(jiān)測模式
|
| 11 | BST_UV_LATCH | R/W | 0b | BST 引腳欠壓鎖存模式
|
| 10 | BST_UV_MODE | R/W | 0b | BST 引腳監(jiān)測模式。如果 BST_UV_LATCH 為 1b，則 BST_UV_MODE 確定警告模式或故障模式。請(qǐng)參閱 BST_UV_LATCH 寄存器位。
|
| 9 | BST_UV_LVL | R/W | 0b | BST 引腳欠壓閾值電平 VBST_UV
|
| 8 | DVDD_OV_MODE | R/W | 0b | 過壓監(jiān)測的 DVDD 監(jiān)測模式
|
| 7 | GVDD_OV_MODE | R/W | 0b | 過壓監(jiān)測的 GVDD 監(jiān)測模式
|
| 6 | GVDD_UV_MODE | R/W | 0b | 欠壓監(jiān)測的 GVDD 監(jiān)測模式
|
| 5 | VCP_OV_MODE | R/W | 0b | 過壓監(jiān)測的 VCP 監(jiān)測模式
|
| 4 | VCP_UV_MODE | R/W | 0b | 欠壓監(jiān)測的 VCP 監(jiān)測模式
|
| 3 | PVDD_UVW_LVL | R/W | 0b | PVDD UV 警告閾值電平 |
| 2-1 | PVDD_OV_LVL | R/W | 01b | PVDD OV 閾值電平 |
| 0 | PVDD_OV_MODE | R/W | 0b | PVDD OV 閾值監(jiān)測模式
|
表 7-24 展示了 MON_CTRL2。
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| 位 | 字段 | 類型 | 復(fù)位 | 說明 |
|---|---|---|---|---|
| 15-14 | VDS_MODE | R/W | 00b | VDS 過流模式
|
| 13-11 | VDS_BLK | R/W | 010b | VDS 過流消隱時(shí)間 |
| 10-8 | VDS_DEG | R/W | 001b | VDS 過流抗尖峰脈沖時(shí)間 |
| 7-6 | VGS_MODE | R/W | 00b | VGS 監(jiān)測模式
|
| 5-3 | VGS_BLK | R/W | 000b | VGS 監(jiān)測消隱時(shí)間 |
| 2-0 | VGS_DEG | R/W | 001b | VGS 監(jiān)測抗尖峰脈沖時(shí)間 |
表 7-25 展示了 MON_CTRL3。
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| 位 | 字段 | 類型 | 復(fù)位 | 說明 |
|---|---|---|---|---|
| 15-9 | RESERVED | R | 0b | 保留 |
| 8 | VGS_LVL | R/W | 0b | 當(dāng) INLx/INHx = 高電平時(shí)，柵極電壓監(jiān)測閾值電平。VGS_LVL_H
|
| 7-6 | SNS_OCP_MODE | R/W | 00b | VSENSE 過流保護(hù)的監(jiān)測模式（Rshunt 監(jiān)測器）
|
| 5-3 | SNS_OCP_LVL | R/W | 111b | VSENSE 過流保護(hù)的閾值電壓（Rshunt 監(jiān)測器）
|
| 2 | RESERVED | R | 0b | 保留 |
| 1-0 | SNS_OCP_DEG | R/W | 11b | VSENSE 過流保護(hù)的抗尖峰脈沖時(shí)間（Rshunt 監(jiān)測器）
|
表 7-26 展示了 MON_CTRL4。
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| 位 | 字段 | 類型 | 復(fù)位 | 說明 |
|---|---|---|---|---|
| 15-6 | RESERVED | R | 0b | 保留 |
| 5 | WDT_FLT_MODE | R/W | 0b | 看門狗時(shí)間故障模式
|
| 4 | WDT_CNT | R/W | 0b | 看門狗時(shí)間故障計(jì)數(shù)
|
| 3 | WDT_MODE | R/W | 0b | 看門狗時(shí)間模式
|
| 2-1 | WDT_W | R/W | 00b | 看門狗計(jì)時(shí)器窗口 tWDL（下窗口）和 tWDU（上窗口）
|
| 0 | WDT_EN | R/W | 0b | 看門狗時(shí)間啟用
|
表 7-27 中顯示了 SPI_TEST。
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| 位 | 字段 | 類型 | 復(fù)位 | 說明 |
|---|---|---|---|---|
| 15-0 | SPI_TEST | R/W | 0000000000000000b | SPI 測試寄存器。對(duì)該寄存器的寫入訪問對(duì)器件運(yùn)行沒有影響。 |
表 7-28 中顯示了 OTP_USR。
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| 位 | 字段 | 類型 | 復(fù)位 | 說明 |
|---|---|---|---|---|
| 15-5 | RESERVED | R | 0b | 保留 |
| 4 | OTP_USR_P_VER | R/W | 0b | 啟用用戶 OTP 程序的存儲(chǔ)器驗(yàn)證。該位在用戶對(duì)用戶 OTP 進(jìn)行編程后使用。MCU 將等待至器件將該位清零，然后 MCU 必須檢查 OTP_USR_CRC_FLT 以獲取驗(yàn)證結(jié)果。OTP_USR_PRG 和 OTP_USR_P_VER 絕不能同時(shí)設(shè)置為 1b。
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| 3-1 | OTP_USR_P_ACC | R/W | 000b | 對(duì)用戶 OTP 程序和用戶 OTP 驗(yàn)證的訪問控制。除非按順序?qū)懭胍韵轮担?x2、0x1、0x4，否則 OTP_USR_PRG 位的寫訪問將不可用。任何其他未定義的值都將被忽略，并復(fù)位內(nèi)部序列邏輯。如果序列值被接受，則器件返回讀取 0x7。在器件接受該序列（讀取 = 0x7）后，對(duì)該寄存器的任何寫入訪問（包括 0x2、0x1、0x4）都會(huì)將序列邏輯（讀取 = 0x0）復(fù)位。
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| 0 | OTP_USR_PRG | W | 0b | 對(duì)用戶 OTP 進(jìn)行編程。MCU 將該位設(shè)置為 1 以啟用 OTP 程序。MCU 將等待至器件將該位清零。OTP_USR_PRG 和 OTP_USR_P_VER 絕不能同時(shí)設(shè)置為 1b。當(dāng) OTP_USR_PRG 設(shè)置為 1 時(shí)，應(yīng)相應(yīng)地配置以下 SPI 寄存器位；ENABLE_DRV=0、ADC_EN=0、ADC_EN2=0、PWSPI_EN=0、WDT_EN=0、VCP_MODE=11、CLKMON_EN=0、DRVEN_A=0、DRVEN_B=0、DRVEN_C=0、CSA_EN=0、GVDD_MODE=1。
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