ZHCSY74 May 2023 DRV8334-Q1
PRODMIX
表 7-1 列出了狀態(tài)寄存器的存儲(chǔ)器映射寄存器。表 7-1 中未列出的所有寄存器偏移地址都應(yīng)視為保留的位置，并且不應(yīng)修改寄存器內(nèi)容。
| 地址 | 首字母縮寫(xiě)詞 | 寄存器名稱(chēng) | 部分 |
|---|---|---|---|
| 0h | IC_STAT1 | IC 狀態(tài)寄存器 1 | 節(jié) 7.1.1 |
| 1h | IC_STAT2 | IC 狀態(tài)寄存器 2 | 節(jié) 7.1.2 |
| 2h | IC_STAT3 | IC 狀態(tài)寄存器 3 | 節(jié) 7.1.3 |
| 3h | IC_STAT4 | IC 狀態(tài)寄存器 4 | 節(jié) 7.1.4 |
| 4h | IC_STAT5 | IC 狀態(tài)寄存器 5 | 節(jié) 7.1.5 |
| 5h | IC_STAT6 | IC 狀態(tài)寄存器 6 | 節(jié) 7.1.6 |
復(fù)雜的位訪(fǎng)問(wèn)類(lèi)型經(jīng)過(guò)編碼可適應(yīng)小型表單元。表 7-2 展示了適用于此部分中訪(fǎng)問(wèn)類(lèi)型的代碼。
| 訪(fǎng)問(wèn)類(lèi)型 | 代碼 | 說(shuō)明 |
|---|---|---|
| 讀取類(lèi)型 | ||
| R | R | 讀取 |
| 復(fù)位或默認(rèn)值 | ||
| -n | 復(fù)位后的值或默認(rèn)值 | |
表 7-3 展示了 IC_STAT1。
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| 位 | 字段 | 類(lèi)型 | 復(fù)位 | 說(shuō)明 |
|---|---|---|---|---|
| 15 | SPI_OK | R | 1b | 未檢測(cè)到 SPI 故障
|
| 14 | 故障 | R | 0b | 故障狀態(tài)寄存器的邏輯或。對(duì)應(yīng) nFAULT 引腳。
|
| 13 | WARN | R | 0b | WARN 狀態(tài)的邏輯或，OTW 除外
|
| 12 | VDS | R | 0b | VDS 過(guò)流檢測(cè)的邏輯或
|
| 11 | VGS | R | 0b | VGS 檢測(cè)的邏輯或
|
| 10 | SNS_OCP | R | 0b | 感測(cè)過(guò)流檢測(cè)的邏輯或
|
| 9 | OV | R | 0b | 電源電壓過(guò)壓檢測(cè)的邏輯或
|
| 8 | UV | R | 0b | 電源電壓欠壓檢測(cè)的邏輯或
|
| 7-2 | RESERVED | R | 0b | 保留 |
| 1 | OTW | R | 0b | 過(guò)熱警告狀態(tài)位
|
| 0 | DRV_STAT | R | 0b | 指示驅(qū)動(dòng)器啟用狀態(tài)。對(duì)應(yīng) ENABLE_DRV 寄存器位 |
表 7-4 展示了 IC_STAT2。
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| 位 | 字段 | 類(lèi)型 | 復(fù)位 | 說(shuō)明 |
|---|---|---|---|---|
| 15 | CBC_ST | R | 0b | VDS 和 SNS_OCP 監(jiān)測(cè)逐周期 (CBC) 計(jì)數(shù)器活動(dòng)狀態(tài)。如果啟用 CBC（CBC 為 1b），則當(dāng)檢測(cè)到 VDS 或 SNS_OCP 條件時(shí)，CBC 計(jì)數(shù)器遞增。如果 CBC 計(jì)數(shù)器不為 0（CBC 計(jì)數(shù)器 > 0），表示檢測(cè)到一個(gè)或多個(gè) VDS 或 SNS_OCP 條件，則 CBC_ST 為 1。
|
| 14-11 | RESERVED | R | 0b | 保留 |
| 10 | SNS_OCP_A | R | 0b | A 相外部感測(cè)電阻器過(guò)流狀態(tài)位 |
| 9 | SNS_OCP_B | R | 0b | B 相外部感測(cè)電阻器過(guò)流狀態(tài)位 |
| 8 | SNS_OCP_C | R | 0b | C 相外部感測(cè)電阻器過(guò)流狀態(tài)位 |
| 7-6 | RESERVED | R | 0b | 保留 |
| 5 | VDS_HA | R | 0b | A 高側(cè) MOSFET 上的 VDS 過(guò)流狀態(tài) |
| 4 | VDS_LA | R | 0b | A 低側(cè) MOSFET 上的 VDS 過(guò)流狀態(tài) |
| 3 | VDS_HB | R | 0b | B 高側(cè) MOSFET 上的 VDS 過(guò)流狀態(tài) |
| 2 | VDS_LB | R | 0b | B 低側(cè) MOSFET 上的 VDS 過(guò)流狀態(tài) |
| 1 | VDS_HC | R | 0b | C 高側(cè) MOSFET 上的 VDS 過(guò)流狀態(tài) |
| 0 | VDS_LC | R | 0b | C 低側(cè) MOSFET 上的 VDS 過(guò)流狀態(tài) |
表 7-5 展示了 IC_STAT3。
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| 位 | 字段 | 類(lèi)型 | 復(fù)位 | 說(shuō)明 |
|---|---|---|---|---|
| 15-6 | RESERVED | R | 0b | 保留 |
| 5 | VGS_HA | R | 0b | A 高側(cè) MOSFET 上的柵極驅(qū)動(dòng)器故障狀態(tài)。 |
| 4 | VGS_LA | R | 0b | A 低側(cè) MOSFET 上的柵極驅(qū)動(dòng)器故障狀態(tài)。 |
| 3 | VGS_HB | R | 0b | B 高側(cè) MOSFET 上的柵極驅(qū)動(dòng)器故障狀態(tài)。 |
| 2 | VGS_LB | R | 0b | B 低側(cè) MOSFET 上的柵極驅(qū)動(dòng)器故障狀態(tài)。 |
| 1 | VGS_HC | R | 0b | C 高側(cè) MOSFET 上的柵極驅(qū)動(dòng)器故障狀態(tài)。 |
| 0 | VGS_LC | R | 0b | C 低側(cè) MOSFET 上的柵極驅(qū)動(dòng)器故障狀態(tài)。 |
表 7-6 展示了 IC_STAT4。
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| 位 | 字段 | 類(lèi)型 | 復(fù)位 | 說(shuō)明 |
|---|---|---|---|---|
| 15 | PVDD_OV | R | 0b | PVDD 過(guò)壓狀態(tài) |
| 14 | PVDD_UV | R | 0b | PVDD 欠壓狀態(tài) |
| 13 | VDRAIN_OV | R | 0b | VDRAIN 過(guò)壓狀態(tài) |
| 12 | VDRAIN_UV | R | 0b | VDRAIN 欠壓狀態(tài) |
| 11 | VCP_OV | R | 0b | VCP 過(guò)壓狀態(tài) |
| 10 | VCP_UV | R | 0b | VCP 欠壓狀態(tài) |
| 9 | GVDD_OV | R | 0b | GVDD 過(guò)壓狀態(tài) |
| 8 | GVDD_UV | R | 0b | GVDD 欠壓狀態(tài) |
| 7 | RESERVED | R | 0b | 保留 |
| 6 | RESERVED | R | 0b | 保留 |
| 5 | BSTA_OV | R | 0b | A 高側(cè) MOSFET 上的 BST 過(guò)壓 |
| 4 | BSTA_UV | R | 0b | A 高側(cè) MOSFET 上的 BST 欠壓 |
| 3 | BSTB_OV | R | 0b | B 高側(cè) MOSFET 上的 BST 過(guò)壓 |
| 2 | BSTB_UV | R | 0b | B 高側(cè) MOSFET 上的 BST 欠壓 |
| 1 | BSTC_OV | R | 0b | 指示 C 高側(cè) MOSFET 上的 BST 過(guò)壓 |
| 0 | BSTC_UV | R | 0b | C 高側(cè) MOSFET 上的 BST 欠壓 |
表 7-7 展示了 IC_STAT5。
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| 位 | 字段 | 類(lèi)型 | 復(fù)位 | 說(shuō)明 |
|---|---|---|---|---|
| 15 | RESERVED | R | 0b | 保留 |
| 14 | PVDD_UVW | R | 0b | PVDD 欠壓警告狀態(tài) |
| 13-11 | RESERVED | R | 0b | 保留 |
| 10 | GVDD_CP_LDO | R | 0b | GVDD 工作模式狀態(tài)
|
| 9 | OTSD | R | 0b | |
| 8 | WDT_FLT | R | 0b | 看門(mén)狗計(jì)時(shí)器故障位 |
| 7 | SPI_CRC_FLT | R | 0b | SPI CRC 故障位 |
| 6 | SPI_ADDR_FLT | R | 0b | SPI 地址故障位 |
| 5 | SPI_CLK_FLT | R | 0b | SPI 時(shí)鐘組幀故障位。對(duì)于 32 位幀（SPI_CRC_EN 為 1），如果一個(gè) SPI 幀的 SPI 時(shí)鐘數(shù)為 1 至 31、33 或更高，則 SPI_CLK_FLT 設(shè)置為 1。如果 SPI 時(shí)鐘數(shù)為 0 或 32，則 SPI_CLK_FLT 為 0。對(duì)于 24 位幀（SPI_CRC_EN 為 0b），如果 SPI 時(shí)鐘數(shù)為 0 或 24，則 SPI_CLK_FLT 為 0。對(duì)于 96 位幀，如果 SPI 時(shí)鐘數(shù)為 0 或 96，則 SPI_CLK_FLT 為 0。否則，SPI_CLK_FLT 設(shè)置為 1。 |
| 4 | OTP_CRC_FLT | R | 0b | OTP CRC 故障位。已檢測(cè)到用于器件生產(chǎn)的 OTP 存儲(chǔ)器故障。 |
| 3 | OTP_USR_CRC_FLT | R | 0b | USER OTP CRC 故障。已檢測(cè)到用于用戶(hù)配置的 OTP 存儲(chǔ)器故障。如果不使用 USER OTP（已編程），則 OTP_USR_CRC_FLT 將始終設(shè)置為 1b，并且必須在上電時(shí)清除該標(biāo)志。OTP_USR_CRC_FLT 不影響 nFAULT 或柵極驅(qū)動(dòng)器。 |
| 2 | RESERVED | R | 0b | 保留 |
| 1 | STP_FLT | R | 0b | 擊穿保護(hù)違例 |
| 0 | DEADT_FLT | R | 0b | 違反死區(qū)違例 |
表 7-8 展示了 IC_STAT6。
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| 位 | 字段 | 類(lèi)型 | 復(fù)位 | 說(shuō)明 |
|---|---|---|---|---|
| 15 | PHCA_FLT | R | 0b | 指示 PHCA 的相位比較器故障 |
| 14 | PHCB_FLT | R | 0b | 指示 PHCB 的相位比較器故障 |
| 13 | PHCC_FLT | R | 0b | 指示 PHCC 的相位比較器故障 |
| 12 | RESERVED | R | 0b | 保留 |
| 11 | VREF_OV | R | 0b | VREF 輸入過(guò)壓狀態(tài) |
| 10 | VREF_UV | R | 0b | VREF 輸入欠壓狀態(tài) |
| 9 | VDDSDO_UV | R | 0b | 器件內(nèi)部穩(wěn)壓器 VDDSDO 穩(wěn)壓器欠壓狀態(tài) |
| 8 | RESERVED | R | 0b | 保留 |
| 7 | DVDD_OV | R | 0b | DVDD 過(guò)壓狀態(tài) |
| 6-5 | RESERVED | R | 0b | 保留 |
| 4 | ABIST_FLT | R | 0b | 模擬 BIST 故障狀態(tài) |
| 3 | DEV_MODE_FLT | R | 0b | 器件模式故障狀態(tài) |
| 2-1 | RESERVED | R | 0b | 保留 |
| 0 | CLK_MON_FLT | R | 0b | 時(shí)鐘監(jiān)測(cè)器故障狀態(tài) |