ZHCSPR2C December 2021 – August 2022 DRV8243-Q1
PRODUCTION DATA
- 1 特性
- 2 應(yīng)用
- 3 說明
- 4 修訂歷史記錄
- 5 器件比較
- 6 引腳配置和功能
-
7 規(guī)格
- 7.1 絕對最大額定值
- 7.2 ESD 等級
- 7.3 建議運(yùn)行條件
- 7.4 熱性能信息
- 7.5
電氣特性
- 7.5.1 電源和初始化
- 7.5.2 邏輯 I/O
- 7.5.3 SPI I/O
- 7.5.4 配置引腳 - 僅限 HW 型號
- 7.5.5 功率 FET 參數(shù)
- 7.5.6 具有高側(cè)再循環(huán)的開關(guān)參數(shù)
- 7.5.7 具有低側(cè)再循環(huán)的開關(guān)參數(shù)
- 7.5.8 IPROPI 和 ITRIP 調(diào)節(jié)
- 7.5.9 過流保護(hù) (OCP)
- 7.5.10 過熱保護(hù) (TSD)
- 7.5.11 電壓監(jiān)控
- 7.5.12 負(fù)載監(jiān)測
- 7.5.13 故障重試設(shè)置
- 7.5.14 瞬態(tài)熱阻抗和電流能力
- 7.6 SPI 時序要求
- 7.7 開關(guān)波形
- 7.8 典型特性
- 8 詳細(xì)說明
- 9 應(yīng)用和實(shí)施
- 10電源相關(guān)建議
- 11布局
- 12器件和文檔支持
- 13機(jī)械、封裝和可訂購信息
封裝選項(xiàng)
機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
散熱焊盤機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- DGQ|28
訂購信息
11.2 布局示例
下圖展示了用于帶引線封裝器件的 4cm x 4cm x 1.6mm、4 層 PCB 的布局示例。在這 4 層中，在頂部/底部信號層使用 2 盎司銅，在內(nèi)部電源層使用 1 盎司銅，熱過孔鉆孔直徑為 0.3mm，鍍銅層為 0.025mm，最小過孔間距為 1mm。無引線 VQFN-HR 封裝也可以采用相同的布局。4cm x 4cm x 1.6mm 的Topic Link Label7.5.14基于類似的布局。
注意：所示布局示例適用于采用 SSOP 封裝的 DRV824xQ1 器件的全橋拓?fù)洹?/p>
圖 11-1 布局示例：4cm x 4cm x 1.6mm，4 層 PCB