ZHCSPR2C December 2021 – August 2022 DRV8243-Q1
PRODUCTION DATA
在 VVM = 13.5V 時測得
| 參數 | 測試條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| RHS_ON | 高側 FET 導通電阻，HVSSOP 封裝 | IOUT = 3A，TJ = 25°C | 49 | mΩ | ||
| IOUT = 3A，TJ = 150°C | 93.1 | mΩ | ||||
| 高側 FET 導通電阻，VQFN-HR 封裝 | IOUT = 3A，TJ = 25°C | 41.7 | mΩ | |||
| IOUT = 3A，TJ = 150°C | 79.8 | mΩ | ||||
| RLS_ON | 低側 FET 導通電阻，HVSSOP 封裝 | IOUT = 3A，TJ = 25°C | 49 | mΩ | ||
| IOUT = 3A，TJ = 150°C | 93.1 | mΩ | ||||
| 低側 FET 導通電阻，VQFN-HR 封裝 | IOUT = 3A，TJ = 25°C | 42 | mΩ | |||
| IOUT = 3A，TJ = 150°C | 79.8 | mΩ | ||||
| VSD | 當體二極管被正向偏置時的低側和高側 FET 源漏電壓 | IOUT = +/- 3A（兩個方向） | 0.4 | 0.9 | 1.5 | V |
| RHi-Z | 處于 SLEEP 或 STANDBY 狀態(tài)、VOUTx = VVM = 13.5V 時的 OUT 接地電阻 | SR = 3'b000 或 3'b001 或 3'b010 或 3'b111 或 LVL2 或 LVL5 | 2 | 5 | kΩ | |
| SR = 3'b011 或 LVL3 | 7 | 14 | kΩ | |||
| SR = 3'b100 或 LVL4 | 5 | 10.5 | kΩ | |||
| SR = 3'b101 或 LVL1 | 4 | 8.5 | kΩ | |||
| SR = 3'b110 或 LVL6 | 2.5 | 6 | kΩ | |||