ZHCSML9A June 2021 – July 2021 DRV8212P
PRODUCTION DATA
該器件的總功耗由三個(gè)主要部分組成：靜態(tài)電源電流耗散（PVM 和 PVCC）、功率 MOSFET 開(kāi)關(guān)損耗 (PSW) 及功率 MOSFET RDS(on)（導(dǎo)通）損耗 (PRDS)。雖然其他因素可能會(huì)造成額外的功率損耗，但與這三個(gè)主要因素相比，這些因素通常微不足道。
可以根據(jù)標(biāo)稱(chēng)電機(jī)電源電壓（VVM）和 IVM 工作模式電流規(guī)格來(lái)計(jì)算 PVM。可以根據(jù)標(biāo)稱(chēng)邏輯電源電壓（VVCC）和 IVCC 工作模式電流規(guī)格來(lái)計(jì)算 PVCC。當(dāng) VVCC < VVM 時(shí)，DRV8212 會(huì)從 VM 引腳而非 VCC 引腳汲取運(yùn)行電流。在這種工作條件下，IVCC 通常小于 500nA。
可以根據(jù)標(biāo)稱(chēng)電機(jī)電源電壓 (VVM)、平均輸出電流 (IRMS)、開(kāi)關(guān)頻率 (fPWM) 以及器件輸出上升 (tRISE) 和下降 (tFALL) 時(shí)間規(guī)格來(lái)計(jì)算 PSW。
可以根據(jù)器件 RDS(on) 和平均輸出電流 (IRMS) 來(lái)計(jì)算 PRDS。
RDS(ON) 與器件溫度密切相關(guān)。假設(shè)器件結(jié)溫為 85°C，根據(jù)標(biāo)稱(chēng)溫度數(shù)據(jù)，RDS(on) 可增加約 1.5 倍。下面的計(jì)算顯示了此降額系數(shù)。或者，Topic Link Label7.6 部分顯示了繪制 RDS(on) 如何隨溫度變化的曲線(xiàn)。
根據(jù)上面的示例計(jì)算，下面的表達(dá)式計(jì)算了器件的總預(yù)期功率耗散。
可以使用 PTOT、器件環(huán)境溫度（TA）和封裝熱阻（RθJA）來(lái)計(jì)算驅(qū)動(dòng)器的結(jié)溫。RθJA 的值在很大程度上依賴(lài)于 PCB 設(shè)計(jì)以及器件周?chē)你~散熱量。Topic Link Label9.3.2 更詳細(xì)地介紹了這種依賴(lài)性。
對(duì)于所有系統(tǒng)工作條件，器件結(jié)溫應(yīng)保持在其絕對(duì)最大額定值以下。本部分中的計(jì)算提供了對(duì)結(jié)溫的合理估計(jì)。然而，其他基于系統(tǒng)工作過(guò)程中溫度測(cè)量的方法更加現(xiàn)實(shí)和可靠?？梢栽?a xmlns:opentopic="http://www.idiominc.com/opentopic" class="xref" href="GUID-C95444EF-1919-4DCD-A3EF-58A8D03E8351.html#GUID-C95444EF-1919-4DCD-A3EF-58A8D03E8351">Topic Link Label9.3.2 和Topic Link Label12.1.1 中找到有關(guān)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器電流額定值和功率耗散的其他信息。