ZHCSML9A June 2021 – July 2021 DRV8212P
PRODUCTION DATA
如果內(nèi)核溫度超過過熱限值 TTSD,將會(huì)禁用 H 橋中的所有 MOSFET。當(dāng)過熱條件消失且裸片溫度降至 VTSD 閾值以下時(shí),將恢復(fù)正常運(yùn)行。