DRV8212P
- N 溝道 H 橋電機(jī)驅(qū)動(dòng)器
- MOSFET 導(dǎo)通電阻:HS + LS 280mΩ
- 可驅(qū)動(dòng)一個(gè)雙向有刷直流電機(jī)
- 一個(gè)單線圈或雙線圈閉鎖繼電器
- 1.65V 至 11V 工作電源電壓范圍
- 高輸出電流能力: 4A 峰值
-
標(biāo)準(zhǔn)脈寬調(diào)制 (PWM) 接口(IN1/IN2)
- 支持 1.8V、3.3V 和 5V 邏輯輸入
- 超低功耗休眠模式
- 保護(hù)特性
- 欠壓鎖定(UVLO)
- 過流保護(hù)(OCP)
- 熱關(guān)斷(TSD)
- 器件產(chǎn)品系列。有關(guān)詳細(xì)信息,請(qǐng)參閱Topic Link Label5。
DRV8212P 是一款集成電機(jī)驅(qū)動(dòng)器,具有四個(gè) N 溝道功率 FET、電荷泵穩(wěn)壓器和保護(hù)電路。 三倍電荷泵架構(gòu)允許器件在低至 1.65V 的電壓下工作,以適應(yīng) 1.8V 的電源軌和電池電量不足的情況。電荷泵集成了所有電容器,以減小 PCB 上電機(jī)驅(qū)動(dòng)器的整體解決方案尺寸,并允許 100% 占空比運(yùn)行。
DRV8212P 支持業(yè)界通用的 PWM (IN1/IN2) 控制接口。nSLEEP 引腳控制低功耗睡眠模式,該模式通過禁用內(nèi)部電路實(shí)現(xiàn)超低靜態(tài)電流消耗。
該器件能夠提供高達(dá) 4A 的峰值輸出電流。該器件的工作電源電壓為 1.65V 至 5.5V 。
該驅(qū)動(dòng)器提供強(qiáng)大的內(nèi)部保護(hù)功能,包括電源欠壓鎖定 (UVLO)、輸出過流 (OCP) 和器件過熱 (TSD) 保護(hù)。
DRV8212P 是器件產(chǎn)品系列的一部分,其具有引腳對(duì)引腳可擴(kuò)展的 RDS(on) 和電源電壓選項(xiàng),以支持各種負(fù)載和電源軌,并且設(shè)計(jì)改動(dòng)最小。有關(guān)本產(chǎn)品系列中器件的信息,請(qǐng)參閱Topic Link Label5。訪問 ti.com 查看我們完整的有刷電機(jī)驅(qū)動(dòng)器產(chǎn)品系列。
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功能與比較器件相同,且具有相同引腳
功能與比較器件相同,但引腳排列有所不同
技術(shù)文檔
| 類型 | 標(biāo)題 | 下載最新的英語版本 | 日期 | |||
|---|---|---|---|---|---|---|
| * | 數(shù)據(jù)表 | 具有 PWM 接口和低功耗睡眠模式的 DRV8212P 11V H 橋電機(jī)驅(qū)動(dòng)器 數(shù)據(jù)表 (Rev. A) | PDF | HTML | 英語版 (Rev.A) | PDF | HTML | 2022年 8月 18日 |
| 產(chǎn)品概述 | 視頻監(jiān)控中的有刷和步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器 | PDF | HTML | 英語版 | PDF | HTML | 2024年 2月 23日 | |
| 應(yīng)用手冊(cè) | 所選封裝材料的熱學(xué)和電學(xué)性質(zhì) | 2008年 10月 16日 |
設(shè)計(jì)和開發(fā)
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DRV8212EVM — DRV8212 具有低功耗睡眠模式的低電壓 H 橋電機(jī)驅(qū)動(dòng)器評(píng)估模塊
DRV8212 評(píng)估模塊 (EVM) 可輕松評(píng)估 DRV8212 電機(jī)驅(qū)動(dòng)器。
DRV8212 集成了 N 溝道 H 橋、電荷泵穩(wěn)壓器以及保護(hù)電路。該器件支持 PWM (IN1/IN2)、相位/使能 (PH/EN)、獨(dú)立半橋和并行半橋控制模式。
EVM 配備了電位器,可用于設(shè)置輸入控制引腳(PH/IN1、EN/IN2)的占空比。
| 封裝 | 引腳 | CAD 符號(hào)、封裝和 3D 模型 |
|---|---|---|
| WSON (DSG) | 8 | Ultra Librarian |
訂購和質(zhì)量
- RoHS
- REACH
- 器件標(biāo)識(shí)
- 引腳鍍層/焊球材料
- MSL 等級(jí)/回流焊峰值溫度
- MTBF/時(shí)基故障估算
- 材料成分
- 鑒定摘要
- 持續(xù)可靠性監(jiān)測(cè)
- 制造廠地點(diǎn)
- 封裝廠地點(diǎn)
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