ZHCSXG9A September 2024 – March 2025 DRV81620-Q1
PRODUCTION DATA
DRV81620-Q1 是一款八通道可配置高側開關。功率級由 N 溝道 MOSFET 構建。導通狀態(tài)電阻 RDS(on) 取決于電源電壓以及結溫 TJ。
有六個自動可配置通道,它們可用作低側開關或高側開關。通道根據(jù)漏極和源極處的通道電勢自動調整診斷和保護功能。對于這些通道,電荷泵連接到輸出 MOSFET 柵極。
在高側配置中,負載連接在 FET 的接地端和源極(引腳 OUTx_S、n = 2...7)之間。FET 的漏極(OUTx_D,“x”等于可配置通道編號)可以連接到接地和 VM 之間的任何電位。當漏極連接到 VM 時,通道的行為類似于高側開關。
在低側配置中,功率晶體管的源極必須連接到 GND 引腳電勢(直接或通過反向電流阻斷二極管)。
可以分別為這些通道中的每個通道選擇配置,因此可以在低側配置中連接一個或多個通道,同時將剩余的自動可配置通道用作高側開關。