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ZHCSY52A September 2024 – March 2025 DRV81242-Q1

PRODUCTION DATA

6.1 絕對最大額定值

在 T_J = -40°C 至 +150°C 范圍內(nèi)，所有電壓均以接地為基準，正電流流入引腳（除非另有說明）

		最小值	最大值	單位
V_M	模擬電源電壓	-0.3	42	V
V_DD	數(shù)字電源電壓	-0.3	5.75	V
V_{M_LD}	負載突降保護的電源電壓		42	V
V_{M_SC}	短路保護的電源電壓	0	28	V
-V_{M_REV}	反極性電壓，所有通道上均為 T_J(0) = 25°C、t ≤ 2 分鐘、R_L = 70Ω	-	18	V
I_VM	流經(jīng) VM 引腳的電流，t ≤ 2 分鐘	-10	10	mA
\|I_L\|	負載電流，單通道	-	I_{L_OCP0}	A
V_DS	功率 FET 處電壓	-0.3	42	V
V_{OUT_S}	FET 源極電壓	-18	V_{OUT_D} + 0.3	V
V_{OUT_D}	FET 漏極電壓 (V_{OUT_S} ≥ 0V)	V_{OUT_S} - 0.3	42	V
V_{OUT_D}	FET 漏極電壓 (V_{OUT_S} < 0V)	-0.3	42	V
E_AS	最大能量耗散單脈沖，T_J(0) = 25°C，I_L(0) = 2*I_{L_EAR}	-	50	mJ
E_AS	最大能量耗散單脈沖，T_J(0) = 150°C，I_L(0) = 400mA	-	25	mJ
E_AR	重復脈沖的最大能量耗散 -I_{L_EAR}，2*10⁶ 個周期，T_J(0) = 85°C，I_L(0) = I_{L_EAR}	-	10	mJ
V_I	IN0、IN1、nSCS、SCLK、SDI 引腳處電壓	-0.3	5.75	V
V_nSLEEP	nSLEEP 引腳處電壓	-0.3	42	V
V_SDO	SDO 引腳的電壓	-0.3	V_DD + 0.3	V
T_A	環(huán)境溫度	-40	125	°C
T_J	結溫	-40	150	°C
T_stg	貯存溫度	-55	150	°C

短路保護功能不支持高于 28V 時短電感 < 1μH。
負載突降的持續(xù)時間為 t_on = 400ms；t_on/t_off = 10%；限制為 100 個脈沖。
對于反極性，所有通道上均為 T_J(0) = 25°C、t ≤ 2 分鐘、R_L = 70Ω。器件根據(jù) JEDEC JESD51-2、-5、-7，在自然對流條件下安裝在 FR4 2s2p 電路板上；產(chǎn)品（芯片+封裝）在具有 2 個內(nèi)部銅層（2μm * 70μm Cu、2μm * 35μm Cu）的 76.2mm * 114.3mm * 1.5mm 電路板上進行仿真。在適用情況下，外露焊盤下方的散熱過孔陣列接觸第一個內(nèi)部銅層。
對于最大能量耗散，脈沖形狀表示電感開關關閉：I_L(t) = I_L(0) x (1 - t/t_pulse)；0 < t < t_pulse。
超出“絕對最大額定值”運行可能會對器件造成永久損壞。絕對最大額定值并不表示器件在這些條件下或在建議運行條件以外的任何其他條件下能夠正常運行。如果超出“建議運行條件”但在“絕對最大額定值”范圍內(nèi)使用，器件可能不會完全正常運行，這可能影響器件的可靠性、功能和性能并縮短器件壽命。
故障條件被視為“超出”正常工作范圍。