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ZHCSY52A September 2024 – March 2025 DRV81242-Q1

PRODUCTION DATA

6.1 絕對(duì)最大額定值

在 T_J = -40°C 至 +150°C 范圍內(nèi)，所有電壓均以接地為基準(zhǔn)，正電流流入引腳（除非另有說(shuō)明）

		最小值	最大值	單位
V_M	模擬電源電壓	-0.3	42	V
V_DD	數(shù)字電源電壓	-0.3	5.75	V
V_{M_LD}	負(fù)載突降保護(hù)的電源電壓		42	V
V_{M_SC}	短路保護(hù)的電源電壓	0	28	V
-V_{M_REV}	反極性電壓，所有通道上均為 T_J(0) = 25°C、t ≤ 2 分鐘、R_L = 70Ω	-	18	V
I_VM	流經(jīng) VM 引腳的電流，t ≤ 2 分鐘	-10	10	mA
\|I_L\|	負(fù)載電流，單通道	-	I_{L_OCP0}	A
V_DS	功率 FET 處電壓	-0.3	42	V
V_{OUT_S}	FET 源極電壓	-18	V_{OUT_D} + 0.3	V
V_{OUT_D}	FET 漏極電壓 (V_{OUT_S} ≥ 0V)	V_{OUT_S} - 0.3	42	V
V_{OUT_D}	FET 漏極電壓 (V_{OUT_S} < 0V)	-0.3	42	V
E_AS	最大能量耗散單脈沖，T_J(0) = 25°C，I_L(0) = 2*I_{L_EAR}	-	50	mJ
E_AS	最大能量耗散單脈沖，T_J(0) = 150°C，I_L(0) = 400mA	-	25	mJ
E_AR	重復(fù)脈沖的最大能量耗散 -I_{L_EAR}，2*10⁶ 個(gè)周期，T_J(0) = 85°C，I_L(0) = I_{L_EAR}	-	10	mJ
V_I	IN0、IN1、nSCS、SCLK、SDI 引腳處電壓	-0.3	5.75	V
V_nSLEEP	nSLEEP 引腳處電壓	-0.3	42	V
V_SDO	SDO 引腳的電壓	-0.3	V_DD + 0.3	V
T_A	環(huán)境溫度	-40	125	°C
T_J	結(jié)溫	-40	150	°C
T_stg	貯存溫度	-55	150	°C

短路保護(hù)功能不支持高于 28V 時(shí)短電感 < 1μH。
負(fù)載突降的持續(xù)時(shí)間為 t_on = 400ms；t_on/t_off = 10%；限制為 100 個(gè)脈沖。
對(duì)于反極性，所有通道上均為 T_J(0) = 25°C、t ≤ 2 分鐘、R_L = 70Ω。器件根據(jù) JEDEC JESD51-2、-5、-7，在自然對(duì)流條件下安裝在 FR4 2s2p 電路板上；產(chǎn)品（芯片+封裝）在具有 2 個(gè)內(nèi)部銅層（2μm * 70μm Cu、2μm * 35μm Cu）的 76.2mm * 114.3mm * 1.5mm 電路板上進(jìn)行仿真。在適用情況下，外露焊盤下方的散熱過(guò)孔陣列接觸第一個(gè)內(nèi)部銅層。
對(duì)于最大能量耗散，脈沖形狀表示電感開(kāi)關(guān)關(guān)閉：I_L(t) = I_L(0) x (1 - t/t_pulse)；0 < t < t_pulse。
超出“絕對(duì)最大額定值”運(yùn)行可能會(huì)對(duì)器件造成永久損壞。絕對(duì)最大額定值并不表示器件在這些條件下或在建議運(yùn)行條件以外的任何其他條件下能夠正常運(yùn)行。如果超出“建議運(yùn)行條件”但在“絕對(duì)最大額定值”范圍內(nèi)使用，器件可能不會(huì)完全正常運(yùn)行，這可能影響器件的可靠性、功能和性能并縮短器件壽命。
故障條件被視為“超出”正常工作范圍。