ZHCSGI4B August 2017 – February 2022 CSD22205L
PRODUCTION DATA
- 1特性
- 2應(yīng)用
- 3說明
- 4Revision History
- 5Specifications
- 6Device and Documentation Support
- 7Mechanical, Packaging, and Orderable Information
封裝選項(xiàng)
請(qǐng)參考 PDF 數(shù)據(jù)表獲取器件具體的封裝圖。
機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- YMG|4
散熱焊盤機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
訂購信息
3 說明
這款 -8V、8.2mΩ、1.2mm × 1.2mm 基板柵格陣列 (LGA) NexFET? 器件設(shè)計(jì)用于在超薄且具有出色散熱特性的超小外形尺寸封裝內(nèi)提供更低的導(dǎo)通電阻和柵極電荷?；鍠鸥耜嚵?(LGA) 封裝是一種帶有金屬接觸板（而非焊球）的器件芯片級(jí)封裝。
RDS(on) 與 VGS 之間的關(guān)系
RDS(on) 與 VGS 之間的關(guān)系產(chǎn)品概要
| TA = 25°C | 值 | 單位 | ||
|---|---|---|---|---|
| VDS | 漏源電壓 | –8 | V | |
| Qg | 柵極電荷總量 (–4.5V) | 6.5 | nC | |
| Qgd | 柵極電荷（柵極到漏極） | 1.0 | nC | |
| RDS(on) | 漏源導(dǎo)通電阻 | VGS = –1.5V | 30 | m? |
| VGS = –1.8V | 20 | |||
| VGS = –2.5V | 11.5 | |||
| VGS = –4.5V | 8.2 | |||
| VGS(th) | 閾值電壓 | –0.7 | V | |
器件信息(1)
| 器件 | 數(shù)量 | 介質(zhì) | 封裝 | 配送 |
|---|---|---|---|---|
| CSD22205L | 3000 | 7 英寸卷帶 | 1.20mm × 1.20mm 基板柵格陣列 封裝 | 卷帶包裝 |
| CSD22205LT | 250 |
(1) 如需了解所有可用封裝，請(qǐng)參閱數(shù)據(jù)表末尾的可訂購產(chǎn)品附錄。
絕對(duì)最大額定值
| TA = 25°C | 值 | 單位 | |
|---|---|---|---|
| VDS | 漏源電壓 | –8 | V |
| VGS | 柵源電壓 | –6 | V |
| ID | 持續(xù)漏極電流(1) | –7.4 | A |
| IDM | 脈沖漏極電流(2) | –71 | A |
| PD | 功率耗散(1) | 0.6 | W |
| TJ、 Tstg | 工作結(jié)溫， 貯存溫度 | –55 至 150 | °C |
(1) RθJA = 225°C/W（覆銅面積最小時(shí)的值）。
(2) 脈寬 ≤ 100μs，占空比 ≤ 1%。
圖 3-1 頂視圖和電路配置