ZHCSAF2D October 2012 – September 2015 CSD17313Q2Q1
PRODUCTION DATA.
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該 30V、24mΩ、2mm x 2mm SON NexFET™功率 MOSFET 旨在用于最大程度降低功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中的 并針對(duì) 5V 柵極驅(qū)動(dòng)器應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化 應(yīng)用中, 2mm x 2mm SON 針對(duì)封裝尺寸提供了出色的散熱性能。
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| TA = 25°C | 典型值 | 單位 | ||
| VDS | 漏源電壓 | 30 | V | |
| Qg | 總柵極電荷 (4.5V) | 2.1 | nC | |
| Qgd | 柵極電荷(柵極到漏極) | 0.4 | nC | |
| RDS(on) | 漏源導(dǎo)通電阻 | VGS = 3V | 31 | mΩ |
| VGS = 4.5V | 26 | mΩ | ||
| VGS = 8V | 24 | mΩ | ||
| VGS(th) | 閾值電壓 | 1.3 | V | |
| 器件編號(hào) | 數(shù)量 | 包裝介質(zhì) | 封裝 | 發(fā)貨 |
|---|---|---|---|---|
| CSD17313Q2Q1 | 3000 | 13 英寸卷帶 | SON 2mm × 2mm 塑料封裝 | 卷帶封裝 |
| CSD17313Q2Q1T | 250 | 7 英寸卷帶 |