ZHCSZ03A June 2025 – October 2025 BQ25822
PRODUCTION DATA
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為了防止電場和磁場輻射以及高頻諧振問題，采用合適的元件布局來盡可能簡化高頻電流路徑環(huán)路非常重要。以下是正確布局的 PCB 布局優(yōu)先級列表。
| 元件 | 功能 | 影響 | 指南 |
|---|---|---|---|
| 降壓高側(cè) FET、降壓低側(cè) FET、輸入電容器 | 降壓輸入環(huán)路 | 高頻噪聲、紋波、效率 | 由于降壓輸入端的脈動電流，該路徑形成高頻開關(guān)環(huán)路。將元件放置在電路板的同一側(cè)。更大限度地減小環(huán)路面積以減小寄生電感。更大限度地增加引線寬度以減小寄生電阻。將輸入陶瓷電容器放置在靠近開關(guān) FET 的位置。 |
| 檢測電阻、開關(guān) FET、電感器 | 電流路徑 | 效率 | 通過功率級和檢測電阻器從輸入到輸出的電流路徑具有低阻抗。請留意過孔電阻是否不在同一側(cè)。對于 1oz 銅厚度的 10mil 過孔，過孔數(shù)量可估算出每個過孔 1A 至 2A。 |
| 開關(guān) FET、電感器 | 功率級 | 熱性能、效率 | 開關(guān) FET 和電感器是功率損耗最高的元件。留出足夠的銅面積來散熱。多個散熱過孔可用于將更多銅層連接在一起并散發(fā)更多熱量。 |
| DRV_SUP、BTST1 電容器 | 開關(guān) FET 柵極驅(qū)動 | 高頻噪聲、寄生振鈴、柵極驅(qū)動完整性 | DRV_SUP 電容器用于提供驅(qū)動低側(cè) FET 的電源。BTST 電容器用于驅(qū)動高側(cè) FET。建議將電容器盡可能靠近 IC 放置。 |
| LODRV1 | 低側(cè)柵極驅(qū)動 | 高頻噪聲、寄生振鈴、柵極驅(qū)動完整性 | LODRV1 提供柵極驅(qū)動電流以導(dǎo)通低側(cè) FET。LODRV1 返回至 PGND。由于電流采用阻抗最小的路徑，因此建議使用靠近低側(cè)柵極驅(qū)動引線的接地平面。更大限度地減小柵極驅(qū)動長度并爭取實現(xiàn)至少 20mil 的柵極驅(qū)動引線寬度。 |
| HIDRV1、SW1（引腳引線） | 高側(cè)柵極驅(qū)動 | 高頻噪聲、寄生振鈴、柵極驅(qū)動完整性 | HIDRV1 提供柵極驅(qū)動電流以導(dǎo)通高側(cè) FET。HIDRV1 返回至 SW1。將 HIDRV1/SW1 對彼此相鄰布線，以減小柵極驅(qū)動寄生電感。更大限度地減小柵極驅(qū)動長度并爭取實現(xiàn)至少 20mil 的柵極驅(qū)動引線寬度。 |
| 限流電阻器、FSW_SYNC 電阻器 | IC 可編程設(shè)置 | 調(diào)節(jié)精度、開關(guān)完整性 | 引腳電壓決定輸入電流限制、輸出電流限制和開關(guān)頻率的設(shè)置。這些引腳上的接地噪聲可能會導(dǎo)致不準(zhǔn)確。更大限度地減小從這些電阻器到 IC 接地引腳的接地回路。 |
| 輸入（ACP、ACN）和輸出（SRP、SRN）電流檢測 | 電流調(diào)節(jié) | 調(diào)節(jié)精度 | 對輸入和輸出電流檢測電阻使用開爾文檢測技術(shù)。將電流檢測引線連接到焊盤的中心，并將電流檢測引線作為差分對進(jìn)行排布，使其遠(yuǎn)離開關(guān)節(jié)點。 |
| 輸入 (ACUV) 和輸出（FB、VO_SNS）電壓檢測 | 電壓檢測和調(diào)節(jié) | 調(diào)節(jié)精度 | ACUV 分壓器設(shè)置正向模式下的內(nèi)部輸入電壓調(diào)節(jié) (VACUV_DPM)。FB 分壓器設(shè)置正向模式下的電池電壓調(diào)節(jié) (VFB_ACC)。將分壓器點的頂部排布至目標(biāo)調(diào)節(jié)位置。避免在靠近大功率開關(guān)節(jié)點的位置布線。 |
| 旁路電容器 | 噪聲濾波器 | 噪聲抗擾度 | 容值最小的電容器要最靠近 IC 放置。 |