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ZHCSTV3 August 2024 AMC3306M05-Q1

PRODUCTION DATA

封裝選項(xiàng)

請(qǐng)參考 PDF 數(shù)據(jù)表獲取器件具體的封裝圖。

機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)

DWE|16

散熱焊盤機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)

訂購(gòu)信息

zhcstv3_oa

5.9 電氣特性

各種最小和最大規(guī)格的適用條件為：T_A = –40°C 至 +125°C，VDD = 3.0V 至 5.5V，INP = –50mV 至 +50mV，INN = 0V 且 sinc³ 濾波器的 OSR = 256（除非另有說明）；典型值的適用條件為：T_A = 25°C，CLKIN = 20MHz，VDD = 3.3V

參數(shù)		測(cè)試條件	最小值	典型值	最大值	單位
模擬輸入
R_IN	單端輸入電阻	INN = HGND		4.75		kΩ
R_IND	差分輸入電阻			4.9		kΩ
I_IB	輸入偏置電流	INP = INN = HGND； I_IB = (I_IBP + I_IBN) / 2	-48	-36	-28	μA
I_IO	輸入失調(diào)電流⁽¹⁾	I_IO = I_IBP – I_IBN；INP = INN = HGND		±10		nA
C_IN	單端輸入電容	INN = HGND，f_IN = 310kHz		4		pF
C_IND	差分輸入電容	f_IN = 310kHz		2		pF
精度
E_O	失調(diào)電壓誤差⁽¹⁾	INN = INP = HGND，T_A = 25°C	-50	±10	50	μV
TCE_O	失調(diào)電壓誤差熱漂移⁽⁴⁾	INN = INP = HGND	-0.4		0.4	μV/°C
E_G	增益誤差	T_A = 25°C	-0.2%	±0.005%	0.2%
TCE_G	增益誤差漂移⁽⁵⁾		-35		35	ppm/°C
DNL	微分非線性	分辨率：16 位	-0.99		0.99	LSB
INL	積分非線性	分辨率：16 位	-4	±1	4	LSB
SNR	信噪比	f_IN = 1kHz	77	81		dB
SINAD	信納比	f_IN = 1kHz	77	81		dB
THD	總諧波失真⁽³⁾	5MHz ≤ f_CLKIN ≤ 21MHz，f_IN = 1kHz		-93	-86	dB
SFDR	無雜散動(dòng)態(tài)范圍	f_IN = 1kHz	87	94		dB
CMRR	共模抑制比	f_IN = 0Hz，V_{CM min} ≤ V_IN ≤ V_{CM max}		-100		dB
CMRR	共模抑制比	f_IN = 10kHz，V_{CM min} ≤ V_IN ≤ V_{CM max}，V_INP = V_INN = 100mV_PP		-100		dB
PSRR	電源抑制比	VDD 從 3.0V 到 5.5V，直流		-120		dB
PSRR	電源抑制比	INP = INN = HGND，VDD 為 3.0V 至 5.5V，10kHz，100mV 紋波		-120		dB
數(shù)字 I/O
I_IN	輸入漏電流	GND ≤ V_IN ≤ VDD	0		7	μA
C_IN	輸入電容			4		pF
V_IH	高電平輸入電壓		0.7 × VDD		VDD + 0.3	V
V_IL	低電平輸入電壓		-0.3		0.3 × VDD	V
C_LOAD	輸出負(fù)載電容			15	30	pF
V_OH	高電平輸出電壓	I_OH = -20μA	VDD – 0.1			V
V_OH	高電平輸出電壓	I_OH = -4mA	VDD – 0.4			V
V_OL	低電平輸出電壓	I_OL = 20μA			0.1	V
V_OL	低電平輸出電壓	I_OL = 4mA			0.4	V
CMTI	共模瞬態(tài)抗擾度		75	135		kV/μs
電源
IDD	低側(cè)電源電流	HLDO 上無外部負(fù)載		26	40	mA
IDD	低側(cè)電源電流	HLDO 上 1mA 無外部負(fù)載		28	42	mA
V_{DCDC_OUT}	直流/直流輸出電壓	DCDC_OUT 至 HGND	3.1	3.5	4.65	V
V_DCDCUV	直流/直流輸出欠壓檢測(cè)閾值電壓	V_{DCDC_OUT} 下降	2.1	2.25		V
V_{HLDO_OUT}	高側(cè) LDO 輸出電壓	HLDO_OUT 至 HGND，高達(dá) 1mA 的外部負(fù)載⁽²⁾	3	3.2	3.4	V
V_HLDOUV	高側(cè) LDO 輸出欠壓檢測(cè)閾值電壓	V_{HLDO_OUT} 下降	2.4	2.6		V
I_H	輔助電路的高側(cè)電源電流	負(fù)載從 HLDO_OUT 連接到 HGND；非開關(guān)；-40℃ ≤ T_A ≤ 85℃⁽²⁾			1	mA
t_START	器件啟動(dòng)時(shí)間	VDD 步進(jìn)至 3.0V 使位流有效		0.9	1.4	ms

(1) 典型值包括標(biāo)稱運(yùn)行條件下的一個(gè) Σ 統(tǒng)計(jì)變化。

(2) 高側(cè) LDO 僅在 T_A 不超過 85℃ 時(shí)支持外部負(fù)載。有關(guān)更多詳細(xì)信息，請(qǐng)參閱隔離式直流/直流轉(zhuǎn)換器 部分。

(3) THD 是前五個(gè)高次諧波幅度的均方根和與基波幅度之比。

(4) 使用框方法計(jì)算失調(diào)電壓誤差溫漂，如以下公式所述：
TCE_O = (E_O,MAX – E_O,MIN)/TempRange，其中 E_O,MAX 和 E_O,MIN 是指在溫度范圍（–40℃ 至 125℃）內(nèi)測(cè)得的最大和最小 E_O 值。

(5) 使用框方法計(jì)算增益誤差溫漂，如以下公式所述：
TCE_G (ppm) = ((E_G,MAX - E_G,MIN)/TempRange) x 10⁴，其中 E_G,MAX 和 E_G,MIN 是指在溫度范圍（–40℃ 至 125℃）內(nèi)測(cè)得的最大和最小 E_G 值（表示為 %）。