ZHCST16 September 2023 AMC131M01
PRODUCTION DATA
- 1
- 1 特性
- 2 應(yīng)用
- 3 說明
- 4 修訂歷史記錄
- 5 引腳配置和功能
- 6 規(guī)格
- 7 參數(shù)測(cè)量信息
-
8 詳細(xì)說明
- 8.1 概述
- 8.2 功能方框圖
- 8.3 特性說明
- 8.4 器件功能模式
- 8.5
編程
- 8.5.1 串行接口
- 8.5.2 ADC 轉(zhuǎn)換數(shù)據(jù)
- 8.5.3 命令
- 8.5.4 ADC 輸出緩沖器和 FIFO 緩沖器
- 8.5.5 第一次或數(shù)據(jù)收集暫停后收集數(shù)據(jù)
- 8.6 AMC131M01 寄存器
- 9 應(yīng)用和實(shí)現(xiàn)
- 10器件和文檔支持
- 11機(jī)械、封裝和可訂購(gòu)信息
封裝選項(xiàng)
機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- DFM|20
散熱焊盤機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
訂購(gòu)信息
9.3 電源相關(guān)建議
AMC131M01 由標(biāo)稱值為 3.3V（或 5V）±10% 的低側(cè)電源 (DVDD) 供電。在盡可能靠近 DVDD 引腳的位置放置一個(gè) 1nF 的低 ESR 去耦電容器（圖 9-8 中的 C15），然后放置一個(gè) 1μF 電容器 (C16) 以對(duì)該電源路徑進(jìn)行濾波。
低側(cè)電源 (DVDD) 是運(yùn)行 AMC131M01 所需的唯一外部電源。所有內(nèi)部電壓電源和次級(jí)（高側(cè)）電源均由集成直流/直流轉(zhuǎn)換器和高側(cè) LDO 生成，例如輸出引腳 DCDC_OUT 和 HLDO_OUT 上的電源電壓。
直流/直流轉(zhuǎn)換器的初級(jí)側(cè)通過靠近器件且位于 DCDC_CAP 和 DGND 引腳之間的低 ESR 100nF 電容器 (C17) 去耦。除了盡可能靠近器件放置并連接在 DCDC_OUT 和 DCDC_HGND 引腳之間的低 ESR、1nF 電容器 (C1) 之外，使用 1μF 電容器 (C6) 對(duì)高側(cè)去耦。
為改善 EMI 性能，分別在 DCDC_OUT 和 HLDO_IN 引腳之間 (F1) 與 DCDC_HGND 和 HGND 引腳之間 (F2) 放置一個(gè)鐵氧體磁珠。
對(duì)于高側(cè) LDO，使用 1nF 的低 ESR 電容器 (C11)，盡可能靠近 AMC131M01 放置，然后在 HLDO_OUT 和 HGND 引腳之間連接一個(gè) 100nF 去耦電容器 (C13)。
高側(cè)接地基準(zhǔn) (HGND) 由連接到器件負(fù)輸入端 (AIN0N) 的分流電阻器端子提供。為獲得更高直流精度，請(qǐng)使用單獨(dú)的引線進(jìn)行此連接，而不是直接在器件輸入端將 HGND 短接至 AIN0N。
圖 9-8 電源去耦 AMC131M01在應(yīng)用中出現(xiàn)的適用直流偏置條件下，電容器必須能夠提供足夠的有效電容。在實(shí)際條件下，通常僅使用 MLCC 標(biāo)稱電容的一小部分，因此在選擇這些電容器時(shí)，必須考慮到這個(gè)因素。此問題在低厚度電容器中尤為嚴(yán)重，在該類電容器中，電容器越薄，電介質(zhì)電場(chǎng)強(qiáng)度越大。知名電容器制造商提供了電容與直流偏置關(guān)系曲線，這大大簡(jiǎn)化了元件選型過程。
表 9-3 列出了適用于 AMC131M01 的元件。此列表并不是詳盡無遺?？赡艽嬖谕瑯雍线m（或更好）的其他元件，但這些列出的元件已在 AMC131M01 的開發(fā)過程中得到驗(yàn)證。
| COMP | 說明 | 器件型號(hào) | 制造商 | 大?。‥IA，L x W） |
|---|---|---|---|---|
| DVDD | ||||
| C15 | 1nF ± 10%，X7R，50V | 12065C102KAT2A | AVX | 1206，3.2mm x 1.6mm |
| C16 | 1μF ± 10%，X7R，25V | 12063C105KAT2A | AVX | 1206，3.2mm x 1.6mm |
| 直流/直流轉(zhuǎn)換器 | ||||
| C17 | 100nF ± 10%，X7R，50V | C0603C104K5RACAUTO | Kemet（基美） | 0603，1.6mm x 0.8mm |
| C1 | 1nF ± 10%，X7R，50V | C0603C102K5RACTU | Kemet（基美） | 0603，1.6mm x 0.8mm |
| C6 | 1μF ± 10%，X7R，25V | CGA3E1X7R1E105K080AC | TDK | 0603，1.6mm x 0.8mm |
| F1、F2 | 鐵氧體磁珠 | 74269244182 | Wurth Elektronik（伍爾特電子） | 0402，1.0mm x 0.5mm |
| HLDO | ||||
| C24 | 100nF ± 10%，X7R，50V | C0603C104K5RACAUTO | Kemet（基美） | 0603，1.6mm x 0.8mm |
| C10 | 1nF ± 10%，X7R，50V | 12065C102KAT2A | AVX | 1206，3.2mm x 1.6mm |
| C13 | 100nF ± 5%，NP0，50V | C3216NP01H104J160AA | TDK | 1206，3.2mm x 1.6mm |
| C11 | 1nF ± 10%，X7R，50V | 12065C102KAT2A | AVX | 1206，3.2mm x 1.6mm |