數(shù)十年來，TI 致力于開發(fā)新的工藝、封裝和電路設(shè)計(jì)先進(jìn)技術(shù)，從而為您的設(shè)計(jì)提供出色的電源器件。無論是提高功率密度、延長(zhǎng)電池壽命、減少電磁干擾 (EMI)、保持電源和信號(hào)完整性，還是在高電壓下維持安全性，我們都能隨時(shí)幫您解決電源管理方面的主要難題。

詳細(xì)了解：

使用我們的電流、電壓、環(huán)境、位置和接近檢測(cè)技術(shù)，更準(zhǔn)確地感知世界。從分立式或集成式解決方案中進(jìn)行選擇，實(shí)現(xiàn)高精度、較短的響應(yīng)時(shí)間和非常高的可靠性。

與傳統(tǒng)的隔離技術(shù)相比，我們的隔離技術(shù)可在高電壓設(shè)計(jì)中實(shí)現(xiàn)更高的穩(wěn)健性和可靠性、降低系統(tǒng)成本并提供更大的可擴(kuò)展性。請(qǐng)?jiān)L問我們的技術(shù)頁面，詳細(xì)了解我們獨(dú)特的隔離技術(shù)實(shí)現(xiàn)方法以及我們?cè)谶^去近 25 年中的隔離挑戰(zhàn)應(yīng)對(duì)之策。

轉(zhuǎn)變您的電機(jī)設(shè)計(jì)。我們的電機(jī)控制技術(shù)提供了靈活性和便利性選項(xiàng)，可支持各種設(shè)計(jì)選項(xiàng)和拓?fù)涞碾姍C(jī)系統(tǒng)。

利用我們的 GaN 功率器件產(chǎn)品系列更大限度地提高功率密度和效率。我們的氮化鎵 (GaN) FET 系列具有集成的柵極驅(qū)動(dòng)器和 GaN 功率器件，可提供具有整個(gè)生命周期的可靠性和成本優(yōu)勢(shì)的高效 GaN 解決方案。GaN 晶體管的開關(guān)速度比硅 MOSFET 快得多，因此可以實(shí)現(xiàn)更低的開關(guān)損耗。我們的 GaN IC 可用于廣泛的應(yīng)用，包括電信設(shè)備、服務(wù)器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和筆記本電腦適配器以及電動(dòng)汽車的車載充電器。

讓連接更簡(jiǎn)單、更具可擴(kuò)展性并且更安全。我們久經(jīng)考驗(yàn)且經(jīng)過測(cè)試的接口器件產(chǎn)品系列涵蓋廣泛的標(biāo)準(zhǔn)，可滿足超高的工業(yè)、汽車、企業(yè)和法規(guī)合規(guī)性標(biāo)準(zhǔn)。