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TPS28225

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具有 4V UVLO、用于同步整流的 4A、27V 半橋柵極驅(qū)動器

產(chǎn)品詳情

Bootstrap supply voltage (max) (V) 33 Power switch MOSFET Input supply voltage (min) (V) 4.5 Input supply voltage (max) (V) 8 Peak output current (A) 4 Operating temperature range (°C) -40 to 125 Undervoltage lockout (typ) (V) 3.5 Rating Catalog Propagation delay time (μs) 0.014 Rise time (ns) 10 Fall time (ns) 5 Iq (mA) 0.35 Input threshold TTL Channel input logic TTL Switch node voltage (V) 0 Features (x1) PWM, Synchronous Rectification Driver configuration Single
Bootstrap supply voltage (max) (V) 33 Power switch MOSFET Input supply voltage (min) (V) 4.5 Input supply voltage (max) (V) 8 Peak output current (A) 4 Operating temperature range (°C) -40 to 125 Undervoltage lockout (typ) (V) 3.5 Rating Catalog Propagation delay time (μs) 0.014 Rise time (ns) 10 Fall time (ns) 5 Iq (mA) 0.35 Input threshold TTL Channel input logic TTL Switch node voltage (V) 0 Features (x1) PWM, Synchronous Rectification Driver configuration Single
SOIC (D) 8 29.4 mm2 4.9 x 6 VSON (DRB) 8 9 mm2 3 x 3
  • 驅(qū)動兩個具有 14ns 自適應(yīng)死區(qū)時間的 N 溝道 MOSFET
  • 寬柵極驅(qū)動電壓：4.5V 至最高 8.8V，7V 至 8V 時效率最佳
  • 動力總成系統(tǒng)寬輸入電壓：3V 至最高 27V
  • 寬輸入 PWM 信號：2.0V 至最高 13.2V 幅值
  • 能夠以每相 ≥40A 的電流驅(qū)動 MOSFET
  • 高頻運行：14ns 傳播延遲和 10ns 上升/下降時間支持 2MHz 的 FSW
  • 能夠傳播 <30ns 的輸入 PWM 脈沖
  • 低側(cè)驅(qū)動器（灌入）導(dǎo)通電阻 (0.4?) 可防止與 dV/dT 相關(guān)的擊穿電流
  • 三態(tài) PWM 輸入可實現(xiàn)電源級關(guān)斷
  • 通過同一引腳支持使能（輸入）和電源正常（輸出）信號來節(jié)省空間
  • 熱關(guān)斷
  • UVLO 保護
  • 內(nèi)部自舉二極管
  • 經(jīng)濟型 SOIC-8 和熱增強型 3mm × 3mm VSON-8 封裝
  • 常見三態(tài)輸入驅(qū)動器的高性能替代產(chǎn)品
  • 驅(qū)動兩個具有 14ns 自適應(yīng)死區(qū)時間的 N 溝道 MOSFET
  • 寬柵極驅(qū)動電壓：4.5V 至最高 8.8V，7V 至 8V 時效率最佳
  • 動力總成系統(tǒng)寬輸入電壓：3V 至最高 27V
  • 寬輸入 PWM 信號：2.0V 至最高 13.2V 幅值
  • 能夠以每相 ≥40A 的電流驅(qū)動 MOSFET
  • 高頻運行：14ns 傳播延遲和 10ns 上升/下降時間支持 2MHz 的 FSW
  • 能夠傳播 <30ns 的輸入 PWM 脈沖
  • 低側(cè)驅(qū)動器（灌入）導(dǎo)通電阻 (0.4?) 可防止與 dV/dT 相關(guān)的擊穿電流
  • 三態(tài) PWM 輸入可實現(xiàn)電源級關(guān)斷
  • 通過同一引腳支持使能（輸入）和電源正常（輸出）信號來節(jié)省空間
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  • UVLO 保護
  • 內(nèi)部自舉二極管
  • 經(jīng)濟型 SOIC-8 和熱增強型 3mm × 3mm VSON-8 封裝
  • 常見三態(tài)輸入驅(qū)動器的高性能替代產(chǎn)品

TPS28225 是一款高速驅(qū)動器，用于驅(qū)動具有自適應(yīng)死區(qū)時間控制的 N 溝道互補驅(qū)動功率 MOSFET。此驅(qū)動器經(jīng)過優(yōu)化，適用于多種高電流單相和多相直流/直流轉(zhuǎn)換器。TPS28225 解決方案具有高效率和小尺寸，并提供低 EMI 發(fā)射。

其高效率通過高達 8.8V 的柵極驅(qū)動電壓、14ns 自適應(yīng)死區(qū)時間控制、14ns 廣播延遲以及高電流（2A 拉電流和 4A 灌電流）驅(qū)動能力實現(xiàn)。較低柵極驅(qū)動器的 0.4Ω 阻抗保持功率 MOSFET 的柵極低于其閾值，并確保在高 dV/dt 相位結(jié)點轉(zhuǎn)換中不會產(chǎn)生擊穿電流。由內(nèi)部二極管充電的自舉電容器支持在半橋配置中使用 N 溝道 MOSFET。

TPS28225 是一款高速驅(qū)動器，用于驅(qū)動具有自適應(yīng)死區(qū)時間控制的 N 溝道互補驅(qū)動功率 MOSFET。此驅(qū)動器經(jīng)過優(yōu)化，適用于多種高電流單相和多相直流/直流轉(zhuǎn)換器。TPS28225 解決方案具有高效率和小尺寸，并提供低 EMI 發(fā)射。

其高效率通過高達 8.8V 的柵極驅(qū)動電壓、14ns 自適應(yīng)死區(qū)時間控制、14ns 廣播延遲以及高電流（2A 拉電流和 4A 灌電流）驅(qū)動能力實現(xiàn)。較低柵極驅(qū)動器的 0.4Ω 阻抗保持功率 MOSFET 的柵極低于其閾值，并確保在高 dV/dt 相位結(jié)點轉(zhuǎn)換中不會產(chǎn)生擊穿電流。由內(nèi)部二極管充電的自舉電容器支持在半橋配置中使用 N 溝道 MOSFET。
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TPS28225 TINA-TI Transient Spice Model

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TPS28225 Unencrypted PSpice Transient Model

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PSPICE-FOR-TI — PSpice? for TI 設(shè)計和仿真工具

PSpice? for TI 可提供幫助評估模擬電路功能的設(shè)計和仿真環(huán)境。此功能齊全的設(shè)計和仿真套件使用 Cadence? 的模擬分析引擎。PSpice for TI 可免費使用，包括業(yè)內(nèi)超大的模型庫之一，涵蓋我們的模擬和電源產(chǎn)品系列以及精選的模擬行為模型。

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