LM74930-Q1
- 符合面向汽車應(yīng)用的 AEC-Q100 標(biāo)準(zhǔn)
- 器件溫度等級 1: –40°C 至 +125°C 環(huán)境工作溫度范圍
- 4V 至 65V 輸入范圍
- 反向輸入保護(hù)低至 –65V
- 在共源極配置下,可驅(qū)動外部背對背 N 溝道 MOSFET
- 10.5mV 陽極至陰極正向壓降調(diào)節(jié)下,理想二極管正常運(yùn)行
- 低反向檢測閾值 (-10.5mV),具有快速 DGATE 關(guān)斷響應(yīng) (0.5μs)
- 18mA 峰值柵極 (DGATE) 導(dǎo)通電流
- 2.6A 峰值 DGATE 關(guān)斷電流
- 可調(diào)過流和短路保護(hù)
- 精度為 10% 的模擬電流監(jiān)視器輸出 (IMON)
- 可調(diào)節(jié)過壓和欠壓保護(hù)
- 2.5μA 低關(guān)斷電流(EN = 低電平)
- MODE 引腳可允許雙向電流(MODE = 低電平)
- 采用合適的 TVS 二極管,符合汽車 ISO7637 瞬態(tài)要求
-
采用節(jié)省空間的 24 引腳 VQFN 封裝
LM74930-Q1 理想二極管控制器可驅(qū)動和控制外部背對背 N 溝道 MOSFET,從而模擬理想二極管整流器和電源路徑開/關(guān)控制,并提供過流和過壓保護(hù)功能。4 V 至 65V 的寬輸入電源電壓可保護(hù)和控制 12V 和 24V 汽車類電池供電的 ECU。該器件可承受并保護(hù)負(fù)載免受低至 –65V 的負(fù)電源電壓的影響。集成的高側(cè)柵極控制 (HGATE) 可驅(qū)動電源路徑中的第一個(gè) MOSFET。該器件使用 HGATE 控制功能在發(fā)生過流、過壓和欠壓事件時(shí)允許負(fù)載斷開(開/關(guān)控制),同時(shí)理想二極管控制器 (DGATE) 可驅(qū)動第二個(gè) MOSFET 來代替肖特基二極管,從而通過阻止反向電流從輸出端流到輸入端來實(shí)現(xiàn)輸入反極性保護(hù)和輸出電壓保持。該器件具有集成的電流檢測放大器,通過斷路器功能提供可調(diào)節(jié)的過流和短路保護(hù)。該器件具有可調(diào)節(jié)過壓和欠壓保護(hù)功能,可防止電源瞬變。LM74930-Q1 有一個(gè) MODE 引腳可用于選擇性地啟用或禁用反向電流阻斷功能。
技術(shù)文檔
| 類型 | 標(biāo)題 | 下載最新的英語版本 | 日期 | |||
|---|---|---|---|---|---|---|
| * | 數(shù)據(jù)表 | LM74930-Q1 具有斷路器、過壓保護(hù)和故障輸出功能的汽車類理想二極管浪涌抑制器 數(shù)據(jù)表 | PDF | HTML | 英語版 | PDF | HTML | 2022年 7月 19日 |
| 功能安全信息 | LM74930-Q1 Functional Safety FIT Rate, FMD and Pin FMA | PDF | HTML | 2024年 10月 16日 | |||
| 應(yīng)用簡報(bào) | 使用 LM74930-Q1 針對汽車系統(tǒng)中未抑制的負(fù)載突降提供保護(hù) | PDF | HTML | 英語版 | PDF | HTML | 2023年 11月 16日 | |
| EVM 用戶指南 | LM74930-Q1 理想二極管控制器評估模塊 | PDF | HTML | 英語版 | PDF | HTML | 2023年 11月 9日 | |
| 證書 | LM74930Q1EVM EU Declaration of Conformity (DoC) | 2023年 10月 5日 |
設(shè)計(jì)和開發(fā)
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LM74930Q1EVM — LM74930-Q1 具有斷路器的 3V 至 65V 浪涌抑制器評估模塊
LM74930-Q1 評估模塊 (EVM) 是一個(gè)用于評估 LM74930-Q1 理想二極管控制器在反向電池保護(hù)應(yīng)用中的運(yùn)行和性能的平臺。LM74930Q1EVM 可以演示 LM74930-Q1 如何控制兩個(gè)背對背 N 溝道功率 MOSFET,以模擬具有浪涌抑制器、斷路器和過壓保護(hù)功能的理想二極管整流器。
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PMP23468 — 適用于音頻系統(tǒng)的 48V 輸入、875W 峰值功率、多相降壓轉(zhuǎn)換器參考設(shè)計(jì)
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