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CSD97374Q4M

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30V 25A SON 3.5 x 4.5mm 同步降壓 NexFET? 功率級(jí)

產(chǎn)品詳情

VDS (V) 30 Ploss current (A) 15 Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 150
VDS (V) 30 Ploss current (A) 15 Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 150
VSON-CLIP (DPC) 8 15.75 mm2 4.5 x 3.5
  • 15A 電流下超過(guò) 92% 的系統(tǒng)效率
  • 最大額定持續(xù)電流 25A，峰值 60A
  • 高頻運(yùn)行（高達(dá) 2MHz）
  • 高密度 3.5mm x 4.5mm 小外形尺寸無(wú)引線(xiàn) (SON) 封裝
  • 超低電感封裝
  • 系統(tǒng)已優(yōu)化的印刷電路板 (PCB) 封裝
  • 超低靜態(tài) (ULQ) 電流模式
  • 兼容 3.3V 和 5V PWM 信號(hào)
  • 支持 FCCM 的二極管仿真模式
  • 輸入電壓高達(dá) 24V
  • 三態(tài) PWM 輸入
  • 集成型自舉二極管
  • 擊穿保護(hù)
  • 符合 RoHS 環(huán)保標(biāo)準(zhǔn) – 無(wú)鉛引腳鍍層
  • 無(wú)鹵素
  • 15A 電流下超過(guò) 92% 的系統(tǒng)效率
  • 最大額定持續(xù)電流 25A，峰值 60A
  • 高頻運(yùn)行（高達(dá) 2MHz）
  • 高密度 3.5mm x 4.5mm 小外形尺寸無(wú)引線(xiàn) (SON) 封裝
  • 超低電感封裝
  • 系統(tǒng)已優(yōu)化的印刷電路板 (PCB) 封裝
  • 超低靜態(tài) (ULQ) 電流模式
  • 兼容 3.3V 和 5V PWM 信號(hào)
  • 支持 FCCM 的二極管仿真模式
  • 輸入電壓高達(dá) 24V
  • 三態(tài) PWM 輸入
  • 集成型自舉二極管
  • 擊穿保護(hù)
  • 符合 RoHS 環(huán)保標(biāo)準(zhǔn) – 無(wú)鉛引腳鍍層
  • 無(wú)鹵素

CSD97374Q4M NexFET™功率器件是經(jīng)過(guò)高度優(yōu)化的設(shè)計(jì)，用于高功率、高密度場(chǎng)合的同步降壓轉(zhuǎn)換器。這個(gè)產(chǎn)品集成了驅(qū)動(dòng)器集成電路 (IC) 和 NexFET 技術(shù)來(lái)完善功率級(jí)開(kāi)關(guān)功能。此驅(qū)動(dòng)器 IC 具有一個(gè)內(nèi)置可選二極管仿真功能，此功能可啟用斷續(xù)傳導(dǎo)模式 (DCM) 運(yùn)行來(lái)提升輕負(fù)載效率。此外，驅(qū)動(dòng)器 IC 支持 ULQ 模式，此模式支持針對(duì) Windows™8 的聯(lián)網(wǎng)待機(jī)功能。借助于三態(tài) PWM 輸入，靜態(tài)電流可減少至 130µA，并支持立即響應(yīng)。當(dāng) SKIP# 保持在三態(tài)時(shí)，電流可減少至 8µA（恢復(fù)切換通常需要 20µs）。該組合在小型 3.5mm × 4.5mm 外形尺寸封裝中實(shí)現(xiàn)高電流、高效率和高速開(kāi)關(guān)器件。此外，PCB 封裝已經(jīng)過(guò)優(yōu)化，可幫助減少設(shè)計(jì)時(shí)間并簡(jiǎn)化總體系統(tǒng)設(shè)計(jì)。

CSD97374Q4M NexFET™功率器件是經(jīng)過(guò)高度優(yōu)化的設(shè)計(jì)，用于高功率、高密度場(chǎng)合的同步降壓轉(zhuǎn)換器。這個(gè)產(chǎn)品集成了驅(qū)動(dòng)器集成電路 (IC) 和 NexFET 技術(shù)來(lái)完善功率級(jí)開(kāi)關(guān)功能。此驅(qū)動(dòng)器 IC 具有一個(gè)內(nèi)置可選二極管仿真功能，此功能可啟用斷續(xù)傳導(dǎo)模式 (DCM) 運(yùn)行來(lái)提升輕負(fù)載效率。此外，驅(qū)動(dòng)器 IC 支持 ULQ 模式，此模式支持針對(duì) Windows™8 的聯(lián)網(wǎng)待機(jī)功能。借助于三態(tài) PWM 輸入，靜態(tài)電流可減少至 130µA，并支持立即響應(yīng)。當(dāng) SKIP# 保持在三態(tài)時(shí)，電流可減少至 8µA（恢復(fù)切換通常需要 20µs）。該組合在小型 3.5mm × 4.5mm 外形尺寸封裝中實(shí)現(xiàn)高電流、高效率和高速開(kāi)關(guān)器件。此外，PCB 封裝已經(jīng)過(guò)優(yōu)化，可幫助減少設(shè)計(jì)時(shí)間并簡(jiǎn)化總體系統(tǒng)設(shè)計(jì)。
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* 數(shù)據(jù)表 CSD97374Q4M 同步降壓 NexFET? 功率級(jí) 數(shù)據(jù)表 (Rev. D) PDF | HTML 英語(yǔ)版 (Rev.D) PDF | HTML 2018年 3月 29日

設(shè)計(jì)和開(kāi)發(fā)

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仿真模型

CSD97374CQ4M PSpice Transient Model

SLPM063.ZIP (39 KB) - PSpice Model
下載
仿真模型

CSD97374CQ4M TINA-TI Spice Transient Model

SLPM108.TSM (47 KB) - TINA-TI Spice Model
下載
參考設(shè)計(jì)

TIDA-00507 — 用于微型服務(wù)器的高功率密度 9V 至 15V 輸入 Intel Atom C2000 SoC VCCP 和 VNN 電源軌參考設(shè)計(jì)

TI TPS53625 VR12 參考設(shè)計(jì) (TIDA-00507) 支持 Intel? Atom? C2000，使用 TI 的無(wú)驅(qū) PWM 架構(gòu)與 TI 功率級(jí)相結(jié)合，帶來(lái)高功率密度、高效率和低組件數(shù)，同時(shí)憑借低波紋和高輸出電流監(jiān)控精度來(lái)滿(mǎn)足 Intel 電壓容限要求。
測(cè)試報(bào)告: PDF
原理圖: PDF
參考設(shè)計(jì)

TIDA-00572 — 面向工業(yè) PC 的高功率密度 9V 至 15V 輸入、Intel® Pentium™ N3700 VCC0+VCC1 電源設(shè)計(jì)

TI TPS1623 VR12.1 參考設(shè)計(jì)支持 Intel? Pentium? N3700，使用 TI 的無(wú)驅(qū) PWM 架構(gòu)與 TI 功率級(jí)相結(jié)合，帶來(lái)高功率密度、高效率和低組件數(shù)，同時(shí)憑借低波紋、嚴(yán)密負(fù)載線(xiàn)和高輸出電流監(jiān)控精度來(lái)滿(mǎn)足 Intel 電壓容限要求。
測(cè)試報(bào)告: PDF
原理圖: PDF
封裝 引腳 CAD 符號(hào)、封裝和 3D 模型
VSON-CLIP (DPC) 8 Ultra Librarian

訂購(gòu)和質(zhì)量

包含信息：
  • RoHS
  • REACH
  • 器件標(biāo)識(shí)
  • 引腳鍍層/焊球材料
  • MSL 等級(jí)/回流焊峰值溫度
  • MTBF/時(shí)基故障估算
  • 材料成分
  • 鑒定摘要
  • 持續(xù)可靠性監(jiān)測(cè)
包含信息：
  • 制造廠(chǎng)地點(diǎn)
  • 封裝廠(chǎng)地點(diǎn)

推薦產(chǎn)品可能包含與 TI 此產(chǎn)品相關(guān)的參數(shù)、評(píng)估模塊或參考設(shè)計(jì)。

支持和培訓(xùn)

可獲得 TI 工程師技術(shù)支持的 TI E2E? 論壇

所有內(nèi)容均由 TI 和社區(qū)貢獻(xiàn)者按“原樣”提供，并不構(gòu)成 TI 規(guī)范。請(qǐng)參閱使用條款。

如果您對(duì)質(zhì)量、包裝或訂購(gòu) TI 產(chǎn)品有疑問(wèn)，請(qǐng)參閱 TI 支持。??????????????

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