CSD95379Q3M
- 12A 電流下的系統(tǒng)效率達(dá) 92.5%
- 12A 電流時(shí) 1.8W 的超低功率損耗
- 最大額定持續(xù)電流為 20A，峰值電流為 45A
- 高頻運(yùn)行（高達(dá) 2MHz）
- 高密度 – 3.3mm × 3.3mm 小外形尺寸無引線封裝 (SON) 尺寸
- 超低電感封裝
- 系統(tǒng)已優(yōu)化的印刷電路板 (PCB) 封裝
- 低靜態(tài) (LQ) 和超低靜態(tài) (ULQ) 電流模式
- 與 3.3V 和 5V 脈寬調(diào)制 (PWM) 信號(hào)兼容
- 支持強(qiáng)制連續(xù)傳導(dǎo)模式 (FCCM) 的二極管仿真模式
- 三態(tài) PWM 輸入
- 集成型自舉二極管
- 擊穿保護(hù)
- 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn) - 無鉛引腳鍍層
- 無鹵素
應(yīng)用范圍
- NVDC 筆記本電腦/超極本 PC
- 平板電腦
- 網(wǎng)絡(luò)互聯(lián)、電信和計(jì)算系統(tǒng)中的負(fù)載點(diǎn)同步降壓
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CSD95379Q3M NexFET 功率級(jí)的設(shè)計(jì)經(jīng)過高度優(yōu)化，適用于高功率、高密度同步降壓轉(zhuǎn)換器。 這個(gè)產(chǎn)品集成了驅(qū)動(dòng)器集成電路 (IC) 和 NexFET 技術(shù)來完善功率級(jí)開關(guān)功能。 此驅(qū)動(dòng)器 IC 具有一個(gè)內(nèi)置可選二極管仿真功能，此功能可啟用斷續(xù)傳導(dǎo)模式 (DCM) 運(yùn)行來提升輕負(fù)載效率。 此外，驅(qū)動(dòng)器 IC 支持 ULQ 模式，此模式支持針對(duì) Windows 8 的聯(lián)網(wǎng)待機(jī)功能。借助于三態(tài) PWM 輸入，靜態(tài)電流可減少至 130μA，并支持立即響應(yīng)。 當(dāng) SKIP# 保持在三態(tài)時(shí)，電流可減少至 8µA（恢復(fù)切換通常需要 20µs）。 這個(gè)組合在小型 3.3mm x 3.3mm 外形尺寸封裝中提供高電流、高效和高速開關(guān)功能。 此外，PCB 封裝已經(jīng)過優(yōu)化，可幫助減少設(shè)計(jì)時(shí)間并簡(jiǎn)化總體系統(tǒng)設(shè)計(jì)的完成。
技術(shù)文檔
| 類型 | 標(biāo)題 | 下載最新的英語(yǔ)版本 | 日期 | |||
|---|---|---|---|---|---|---|
| * | 數(shù)據(jù)表 | CSD95379Q3M 同步降壓 NexFET 功率級(jí) 數(shù)據(jù)表 (Rev. C) | PDF | HTML | 最新英語(yǔ)版本 (Rev.D) | PDF | HTML | 2015年 7月 21日 |
| 技術(shù)文章 | How to create a power supply for Intel’s Braswell processor | PDF | HTML | 2015年 8月 10日 |
設(shè)計(jì)和開發(fā)
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PMP22510 — 開關(guān)型集成電容器降壓 (SCIB) 轉(zhuǎn)換器參考設(shè)計(jì)
| 封裝 | 引腳 | CAD 符號(hào)、封裝和 3D 模型 |
|---|---|---|
| VSON-CLIP (DNS) | 10 | Ultra Librarian |
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