ZHCUBR6 February 2024 SN74AVC8T245 , SN74AVC8T245-Q1 , SN74AXC8T245 , SN74AXC8T245-Q1 , SN74LVC8T245 , SN74LVC8T245-Q1 , SN74LXC8T245 , SN74LXC8T245-Q1 , TXV0106 , TXV0106-Q1 , TXV0108 , TXV0108-Q1
2.2.5 設(shè)置和測(cè)量
TXV 器件經(jīng)過(guò)優(yōu)化，適用于低偏斜應(yīng)用，例如 MAC 和 PHY 之間的 RGMII 接口。這些 EVM 也經(jīng)過(guò)優(yōu)化，提供了測(cè)量偏斜的選項(xiàng)。對(duì)于偏斜測(cè)量，可以使用填充了 SMA 連接器的電路板的默認(rèn)狀態(tài)，對(duì)應(yīng)于待測(cè)試的最短 PCB 布線，例如 A3 和 A4 作為待測(cè)試的 TXV0106-EVM 的輸入，A1 和 A8 作為待測(cè)試的 TXV0108-EVM 的輸入。
圖 4-4 所示為 TXV0108-EVM（使用 TXV0108 器件）的典型上升/下降時(shí)間、輸出偏斜和占空比失真 (DCD) 測(cè)量結(jié)果。C1（通道 A1）和 C2（通道 A8）都是輸入，而 C3（通道 B1）和 C4（通道 B8）分別為相應(yīng)的輸出。
示波器截圖突出顯示了典型的 RGMII 應(yīng)用情況，其時(shí)序預(yù)算為上升和下降時(shí)間小于 750ps（C4 作為 B8 輸出）、輸出偏斜小于 400ps（C4、C3 作為 B8、B1 輸出）、DCD 小于 50% 的 5%（C4 作為 B8 輸出）、傳播延遲 tPD 小于 2ns（C2、C4 作為 A8 輸入、B8 輸出），條件是電壓為 1.8V 至 3.3V，頻率在 125MHz，且 CLB_outputs 上未填充負(fù)載。
圖 2-3 采用 TXV0108RGY 且具有 1.8V 至 3.3V 轉(zhuǎn)換功能的 TXV0108-EVM如圖 4-4 所示，信號(hào)由兩個(gè)信號(hào)發(fā)生器端口生成，使用較短的高速電纜，連接到邊緣貼裝型 SMA_1 和 SMA_8 連接器，并端接至數(shù)據(jù)輸入 A1 和 A8 的 50Ω 終端電阻。
相應(yīng)的輸入接頭 JA_1 和 JA_8 用于使用有源探頭來(lái)探測(cè)輸入信號(hào)。相應(yīng)的輸出接頭 JB_1 和 JB_8 用于使用有源探頭來(lái)探測(cè)輸出信號(hào)（請(qǐng)注意，探頭可以添加額外的電容）。CLB 允許添加其他容性負(fù)載條件，以便進(jìn)一步評(píng)估。
對(duì)于 B 至 A 轉(zhuǎn)換：
- 將 DIR 拉低至 GND。
- 確保 Rta_1 和 Rta_8 上的 50Ω 終端電阻未填充。
- 確保 Rtb_1 和 Rtb_8 的 50Ω 終端電阻已填充。
- 將輸入信號(hào)連接到 SMA_B_1 和 SMA_B_8。
- 測(cè)量 JA_1 和 JA_8 處的輸出。
- 使用 CLA 實(shí)現(xiàn)額外的容性負(fù)載。