ZHCUBA5 September 2023 ISO5451 , ISO5451-Q1 , ISO5452 , ISO5452-Q1 , ISO5851 , ISO5851-Q1 , ISO5852S , ISO5852S-EP , ISO5852S-Q1 , UCC21710 , UCC21710-Q1 , UCC21732 , UCC21732-Q1 , UCC21736-Q1 , UCC21739-Q1 , UCC21750 , UCC21750-Q1 , UCC21759-Q1
3.4.6.1 短路檢測(cè) - DESAT
VDS 電壓檢測(cè)閾值可通過(guò)本常見(jiàn)問(wèn)題解答中提到的以下公式計(jì)算得出：
采用 9V 內(nèi)部 DESAT 檢測(cè)閾值，兩個(gè) STTH122A 二極管（每個(gè)二極管的正向電壓為 0.6V）、475? 限流電阻、具有 2.7V 齊納電壓的齊納二極管以及 500μA 內(nèi)部充電電流，Vds DESAT 檢測(cè)閾值的計(jì)算結(jié)果為 4.86V。如果需要另一個(gè) Vds 電壓檢測(cè)閾值，使用此 UCC217xx 計(jì)算器中的“DESAT calculator”選項(xiàng)卡計(jì)算不同的參數(shù)如何產(chǎn)生不同的電壓檢測(cè)閾值。
在該 EVM 中，實(shí)施了此常見(jiàn)問(wèn)題解答中提到的方法，以便在發(fā)生短路事件時(shí)增大 DESAT 充電電流。增大 DESAT 充電電流可以縮短電容器的消隱時(shí)間，并為 SiC MOSFET 提供更好的保護(hù)。此電路的消隱時(shí)間可通過(guò)同一常見(jiàn)問(wèn)題解答中提到的公式計(jì)算得出，計(jì)算結(jié)果為 125ns。此消隱時(shí)間計(jì)算公式對(duì)于 VDD = 15V 有效；如果使用另一個(gè) VDD 值，則消隱時(shí)間會(huì)有所不同。請(qǐng)注意，上述 UCC217xx 計(jì)算器中的 tBLK 計(jì)算結(jié)果并不準(zhǔn)確，因?yàn)樗纯紤]額外的充電電流。
圖 3-5 DESAT 電路