ZHCUBA5 September 2023 ISO5451 , ISO5451-Q1 , ISO5452 , ISO5452-Q1 , ISO5851 , ISO5851-Q1 , ISO5852S , ISO5852S-EP , ISO5852S-Q1 , UCC21710 , UCC21710-Q1 , UCC21732 , UCC21732-Q1 , UCC21736-Q1 , UCC21739-Q1 , UCC21750 , UCC21750-Q1 , UCC21759-Q1
如果需要更高的驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度,可以安裝板載增強(qiáng)器級(jí)。若要安裝增強(qiáng)器級(jí),對(duì)于低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器,請(qǐng)拆下 R47 和 R51,為 Q1 組裝 PHPT60410NYX,為 Q2 組裝 PHPT60410PYX。對(duì)于高側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器,請(qǐng)拆下 R81 和 R85,為 Q4 組裝 PHPT60410NYX,為 Q5 組裝 PHPT60410PYX。也可以使用具有相同封裝的其他 BJT。
增強(qiáng)器級(jí)可能會(huì)阻礙軟關(guān)斷功能。要在啟用增強(qiáng)器級(jí)后實(shí)現(xiàn)軟關(guān)斷,可以使用阻尼器電路、低側(cè)驅(qū)動(dòng)器的 R56/C46 組合和高側(cè)驅(qū)動(dòng)器的 R89/C61 組合。如果沒(méi)有阻尼器電路,OUTL 引腳將嘗試從增強(qiáng)器級(jí)的基極灌入軟關(guān)斷電流。增強(qiáng)器級(jí)會(huì)放大此電流,導(dǎo)致 IGBT/SiC MOSFET 的關(guān)斷電流增大,并產(chǎn)生更高的 Vds 過(guò)沖。阻尼器電路中的電容器可以在軟關(guān)斷事件期間向 OUTL 引腳提供電流,這有助于解決此問(wèn)題,從而使從增強(qiáng)器級(jí)的基極拉出的電流更低,SiC MOSFET/IGBT 的關(guān)斷電流更低。