4 負載配置

此 EVM 可支持不同的負載配置，從而最大程度地為用戶提供靈活性。

1. MOSFET 配置：
   1. 圖 4-1 顯示了使用兩個背對背公共源 MOSFET 的應(yīng)用。通過在 SW1 和 SW2 端子之間連接負載，用戶可以為 EVM 加載交流或直流負載。通過使用兩個背對背 FET，體二極管能夠切斷正電壓和負電壓。此外，可以通過添加 RC 緩沖器在出現(xiàn)高電感負載時抑制開關(guān)振蕩。
      圖 4-1 交流/直流負載
   2. 圖 4-2 顯示了使用兩個并聯(lián)公共源 MOSFET 的應(yīng)用。此操作可使用戶實現(xiàn)更低的 RDSON。由于一個 MOSFET 在關(guān)閉時不能阻斷反向電流，所以此配置的建議負載是直流負載。
      圖 4-2 直流負載
   3. 圖 4-3 顯示了使用一個 MOSFET（Q1）且未組裝（Q2）的可能負載配置。通過短接 SW2 端子與 VSSS 端子連接高電感負載時，此配置允許添加 RC 緩沖器。
   圖 4-3 帶 RC 緩沖器的直流負載
2. SCR 配置：
   1. 圖 4-4 顯示了使用 SCR 的可能負載配置。在這種情況下，TI 建議使用 TPSI3050S-Q1，它可以通過一個脈沖驅(qū)動 SCR，從而一次性觸發(fā)使能端。由于短時間持續(xù)電源可觸發(fā)大多數(shù) SCR，此操作很有效。
   圖 4-4 直流負載的 SCR
3. 高電感負載的 MOSFET 或 SCR：
   1. 圖 4-5 顯示了高電感負載的可能負載配置。使用 Q1（MOSFET）或 D2（SCR）作為 S1（開關(guān)元件）可實現(xiàn)該設(shè)置。該設(shè)置為添加 D3 提供了空間，當(dāng) S1 關(guān)斷電感負載時，D3 可以作為鉗位二極管來提供對地連接。
   圖 4-5 RL 負載