4 電路板布局

本節(jié)提供了 TPS51215AEVM 電路板布局和分層圖解的說(shuō)明。圖 4-1 至圖 4-9 顯示了 TPS51215AEVM 的電路板布局。頂層和底層各覆銅 2oz ，中間各層分別覆銅 1oz。

VIN 電容器、VOUT 電容器和 MOSFET 是功率元件，應(yīng)放在 PCB 的一面（焊接面）。至少應(yīng)插入一個(gè)內(nèi)部平面并接地以實(shí)現(xiàn)屏蔽，并使小信號(hào)跡線與嘈雜的電力線分離開(kāi)。

所有敏感的模擬跡線和元件（例如 VSNS、SLEW、VID、VREF 和 TRIP）應(yīng)遠(yuǎn)離高壓開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)（例如 SW、DRVH、DRVL 或 BST）放置，以避免發(fā)生耦合。使用內(nèi)部的一層或多層作為接地平面，并屏蔽反饋跡線，使其與電源跡線和功率元件隔離開(kāi)。

將 VSNS 直接連接到負(fù)載器件的輸出電壓感測(cè)點(diǎn)。將 GSNS 連接到負(fù)載器件的接地返回點(diǎn)。布線為差分線路，以避免噪聲耦合。

將過(guò)流設(shè)置電阻器從 TRIP 引腳連接至地，并使其接線盡可能靠近器件。從 TRIP 引腳到電阻器的跡線和從電阻器到地面的跡線應(yīng)避免耦合到高壓開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)。

從柵極驅(qū)動(dòng)器到高側(cè)或低側(cè) MOSFET 柵極的接線應(yīng)盡可能短，以減少雜散電感。

PCB 跡線定義為 SW 節(jié)點(diǎn)，它連接到開(kāi)關(guān) MOSFET 的源極、整流 MOSFET 的漏極和電感器的高壓側(cè)，應(yīng)該盡可能短而寬。