ZHCT493 February 2024 DRV8143-Q1 , DRV8144-Q1 , DRV8145-Q1 , DRV8242-Q1 , DRV8243-Q1 , DRV8244-Q1 , DRV8245-Q1
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主要特性和優(yōu)勢(shì)
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DRV824x-Q1 和 DRV814X-Q1 系列器件分別是完全集成的 H 橋和半橋驅(qū)動(dòng)器，適用于多種汽車應(yīng)用。這些 H 橋器件可配置為單路全橋驅(qū)動(dòng)器或兩個(gè)獨(dú)立的半橋驅(qū)動(dòng)器。該單片功率封裝器件系列采用 BiCMOS 大功率工藝技術(shù)節(jié)點(diǎn)設(shè)計(jì)，提供了出色的電源處理能力和熱性能，不僅封裝尺寸小巧、易于布局，還可提供 EMI 控制、精確的電流檢測(cè)和診斷功能，穩(wěn)健性較高。該系列提供相同的引腳功能和可擴(kuò)展的 RON（電流能力），可支持不同的負(fù)載。 關(guān)鍵應(yīng)用
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引腳和封裝選項(xiàng)
| 型號(hào) | (LS + HS) RON | IOUT MAX | 封裝 | 封裝尺寸 |
|---|---|---|---|---|
| DRV8242-Q1 | 200m? | 6A | VQFN (20) | 3.5mm x 4.5mm |
| DRV8243-Q1 | 84m? | 12A | VQFN-HR (14) | 3mm × 4.5mm |
| DRV8243-Q1 | 98m? | 12A | HVSSOP (28) | 3mm x 7.3mm |
| DRV8244-Q1 | 47m? | 21A | VQFN-HR (16) | 3mm × 6mm |
| DRV8244-Q1 | 60m? | 21A | HVSSOP (28) | 3mm x 7.3mm |
| DRV8245-Q1 | 32m? | 32A | VQFN-HR (16) | 3.5mm × 5mm |
| DRV8245-Q1 | 40m? | 32A | HTSSOP (28) | 4.4mm x 9.7mm |
| 型號(hào) | (LS + HS) Ron | IOUT MAX | 封裝 | 封裝尺寸 |
|---|---|---|---|---|
| DRV8143-Q1 | 42m? | 20A | VQFN-HR (14) | 3mm × 4.5mm |
| DRV8143-Q1 | 49m? | 20A | HVSSOP (28) | 3mm x 7.3mm |
| DRV8144-Q1 | 23.6m? | 30A | VQFN-HR (16) | 3mm × 6mm |
| DRV8145-Q1 | 16m? | 46A | VQFN-HR (16) | 3mm × 5.5mm |
| DRV8145-Q1 | 19m? | 46A | HTSSOP (28) | 4.4mm x 9.7mm |
SPI 型號(hào)與 HW 型號(hào)比較
| 功能 | HW (H) 型號(hào) | SPI (S) 型號(hào) | SPI (P) 型號(hào) |
|---|---|---|---|
| 電橋控制 | 僅引腳 | 單個(gè)引腳“和/或”寄存器位以及引腳狀態(tài)指示（請(qǐng)參閱寄存器引腳控制） | |
| 睡眠功能 | 通過(guò) nSLEEP 引腳提供 | 不可用 | |
| 器件的外部邏輯電源 | 不支持 | 不支持 | 通過(guò) VDD 引腳支持 |
| 清除故障命令 | nSLEEP 引腳上的復(fù)位脈沖 | SPI CLR_FAULT 命令 | |
| 壓擺率 | 6 級(jí) | 8 級(jí) | |
| 過(guò)流保護(hù) (OCP) | 固定在最高等級(jí)設(shè)置 | 閾值有 3 個(gè)選項(xiàng)，濾波器時(shí)間有 4 個(gè)選項(xiàng) | |
| ITRIP 調(diào)節(jié) | 5 級(jí)，具有禁用和固定 TOFF 時(shí)間 | 7 級(jí)，具有禁用和指示，具有可編程 TOFF 時(shí)間 | |
| 重試或鎖存行為之間的單個(gè)故障反應(yīng)配置 | 不支持，要么全部鎖存，要么全部重試 | 支持 | |
| 詳細(xì)的故障記錄和器件狀態(tài)反饋 | 不支持，需要 nFAULT 引腳監(jiān)測(cè) | 支持，可選 nFAULT 引腳監(jiān)測(cè) | |
| VM 過(guò)壓 | 固定 | 4 個(gè)閾值選項(xiàng) | |
| 導(dǎo)通狀態(tài)（有源）診斷 | 不支持 | 支持高側(cè)負(fù)載 | |
| 展頻時(shí)鐘 (SSC) | 不支持 | 支持 | |
| PWM 模式下的其他驅(qū)動(dòng)器狀態(tài) | 不支持 | 支持 | |
| 用于獨(dú)立模式下的單個(gè)半橋的高阻態(tài) | 不支持 | 支持（僅限 SPI 寄存器） | |
瞬態(tài)電流能力
DRV824X-Q1 和 DRV814x-Q1 系列器件可以根據(jù)電流進(jìn)行擴(kuò)展。TI 的多種驅(qū)動(dòng)器均支持進(jìn)行擴(kuò)展，從而滿足您的系統(tǒng)負(fù)載需求。下表展示了有無(wú)開關(guān)損耗情況下隨時(shí)間變化的驅(qū)動(dòng)器能力。
以下電流能力基于在 85°C 環(huán)境溫度下采用 40mm × 40mm × 1.6mm、4 層 PCB 進(jìn)行的熱仿真。
| 器件型號(hào) | 封裝 | TYP LS + HS RDS(on) | 熱阻 RθJA | 電流能力 – 無(wú)開關(guān)損耗 | 有開關(guān)損耗 | |||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 0.1s | 1s | 10s | DC | 0.1s | 1s | 10s | DC | 10s | DC | |||
| MΩ | (°C/W) | (°C/W) | (°C/W) | (°C/W) | (A) | (A) | (A) | (A) | (A) | (A) | ||
| DRV8242-Q1 | VQFN (20) | 250.0 | 15.7 | 23.9 | 28.5 | 54.3 | 3.2 | 2.6 | 2.4 | 2.1 | 2.0 | 1.6 |
| DRV8243-Q1 | VQFN-HR (14) | 84.0 | 7.3 | 13 | 17.5 | 34.2 | 7.5 | 5.6 | 4.8 | 3.5 | 4.4 | 3.0 |
| DRV8243-Q1 | HVSSOP | 98.0 | 5.8 | 10.5 | 15.3 | 32.4 | 7.8 | 5.8 | 4.8 | 3.3 | 4.4 | 2.9 |
| DRV8244-Q1 | VQFN-HR (16) | 47.0 | 5.1 | 10 | 14.4 | 31.2 | 11.9 | 8.5 | 7.1 | 4.8 | 6.3 | 4.0 |
| DRV8244-Q1 | HVSSOP | 60.0 | 4.2 | 8.7 | 13.5 | 30.3 | 11.7 | 8.1 | 6.5 | 4.3 | 5.8 | 3.7 |
| DRV8245-Q1 | VQFN-HR (16) | 32.0 | 4.3 | 9.2 | 13.6 | 30.3 | 15.8 | 10.8 | 8.9 | 5.9 | 7.7 | 4.8 |
| DRV8245-Q1 | HTSSOP | 40.0 | 3.3 | 7.1 | 12.2 | 29.1 | 16.1 | 11.0 | 8.4 | 5.4 | 7.4 | 4.5 |
| DRV8143-Q1 | VQFN-HR (14) | 42.0 | 6.6 | 12.4 | 16.9 | 33.4 | 15.7 | 11.5 | 9.8 | 7.0 | 8.0 | 5.3 |
| DRV8143-Q1 | HVSSOP | 49.0 | 5.0 | 9.8 | 14.7 | 31.7 | 16.7 | 11.9 | 9.7 | 6.6 | 8.2 | 5.2 |
| DRV8144-Q1 | VQFN-HR (16) | 23.5 | 4.6 | 9.5 | 13.9 | 30.5 | 25.2 | 17.5 | 14.5 | 9.8 | 11.4 | 6.8 |
| DRV8144-Q1 | HVSSOP | 30.0 | 3.6 | 8.1 | 13.0 | 29.6 | 25.2 | 16.8 | 13.2 | 8.8 | 10.8 | 6.4 |
| DRV8145-Q1 | VQFN-HR | 16.0 | 3.8 | 8.8 | 13.1 | 29.7 | 33.5 | 22.0 | 18.1 | 12.0 | 13.6 | 7.9 |
| DRV8145-Q1 | HTSSOP | 20.0 | 2.6 | 6.5 | 11.5 | 28.3 | 36.3 | 22.9 | 17.2 | 11.0 | 13.6 | 7.6 |
注：
- 驅(qū)動(dòng)器 OCP 最小電流限制在 0.1s 時(shí)約為 2.5 × I，因此 OCP 不會(huì)由容性負(fù)載瞬態(tài)觸發(fā)
- PWM 會(huì)增加開關(guān)損耗（取決于 VM 電壓、PWM 頻率和壓擺率），從而降低了電流能力
- 開關(guān)損耗約為
其中
- VM = 13.5V
- f(PWM) = 20kHz
- SR = 23V/μs