通過采用三個(gè)獨(dú)立的單半橋設(shè)計(jì)，可以將每相的驅(qū)動(dòng) IC 盡量貼近其對(duì)應(yīng)的 MOSFET 放置。這樣可以提高信號(hào)完整性并減少柵極和源極節(jié)點(diǎn)上的寄生效應(yīng)。

• 源極節(jié)點(diǎn)瞬態(tài)或振鈴的改善：

  更短的柵極或源極路徑有助于減小布線電感的影響，從而降低源極節(jié)點(diǎn)振鈴的影響，減少總環(huán)路電感，提高 EMI 性能。

  寄生效應(yīng)減弱后，源極電壓驟降或瞬態(tài)會(huì)更小。圖 3-2 展示了相位電壓切換時(shí)可能出現(xiàn)的振鈴

圖 3-2 顯示振鈴的電機(jī)驅(qū)動(dòng)器相位輸出波形

• 信號(hào)完整性的優(yōu)化：

  如果功率級(jí)信號(hào)的測(cè)量路徑變短（例如信號(hào)源到驅(qū)動(dòng)器測(cè)量點(diǎn)之間的路徑），信號(hào)完整性會(huì)顯著提升（圖 3-3）。

  由于 CSA 在物理上更靠近檢測(cè)電阻，因此驅(qū)動(dòng)器在分流電阻上檢測(cè)到的電流會(huì)更準(zhǔn)確。

  過流保護(hù)中的 VDS 測(cè)量也是在驅(qū)動(dòng)器的柵極和源極引腳上完成的。如果驅(qū)動(dòng)器和 FET 之間的漏源電壓差異很大，VDS 監(jiān)測(cè)值將不準(zhǔn)確。因此，將 MOSFET 靠近驅(qū)動(dòng)器放置，可以減小寄生電感，降低柵極信號(hào)的過沖或振鈴影響。

  圖 3-3 MOSFET 放置對(duì)信號(hào)完整性的影響