ZHCAE61 July 2024 CDCDB2000 , LMKDB1102 , LMKDB1104 , LMKDB1108 , LMKDB1120 , LMKDB1202 , LMKDB1204
總之，將 RC19008 替換為 LMKDB1108 時(shí)：
| 引腳 | RC19008 和 LMKDB1108 之間影響直接替換的引腳差異 | 用 LMKDB1108 替換 RC19008 時(shí)的設(shè)計(jì)要求 | |||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TI 名稱 | RENESAS 名稱 | 編號(hào) | 類型 | ||||
| 輸入 | |||||||
| CLKIN_P | CLKIN | 8 | I | 無差異 | 不適用。 | ||
| CLKIN_N | CLKINb | 9 | I | ||||
| 輸出 | |||||||
| CLK0_P | CLK13 | 15 | O | 無差異 | 不適用。 | ||
| CLK0_N | CLKb13 | 16 | O | ||||
| CLK1_P | CLK10 | 17 | O | ||||
| CLK1_N | CLKb10 | 18 | O | ||||
| CLK2_P | CLK7 | 22 | O | ||||
| CLK2_N | CLKb7 | 23 | O | ||||
| CLK3_P | CLK6 | 24 | O | ||||
| CLK3_N | CLKb6 | 25 | O | ||||
| CLK4_P | CLK5 | 28 | O | ||||
| CLK4_N | CLKb5 | 29 | O | ||||
| CLK5_P | CLK3 | 31 | O | ||||
| CLK5_N | CLKb3 | 32 | O | ||||
| CLK6_P | CLK2 | 35 | O | ||||
| CLK6_N | CLKb2 | 36 | O | ||||
| CLK7_P | CLK1 | 38 | O | ||||
| CLK7_N | CLKb1 | 39 | O | ||||
| 輸出使能 | |||||||
| vOE0#/SHFT_LD# | OEb13_SHFT_LDb | 14 | I | OE 模式 | SBI 模式 | OE 模式 | SBI 模式 |
| RC19008 具有一個(gè)內(nèi)部上拉電阻器，而 LMKDB1108 具有一個(gè)內(nèi)部下拉電阻器。TI 決定遵循 DB2000QL 的規(guī)定，其中指出 OE 引腳需要內(nèi)部下拉電阻器。 | 無差異。 | 請(qǐng)勿將這些引腳懸空，并且不要依賴于內(nèi)部電阻器。通過外部控制器將 OE 引腳驅(qū)動(dòng)為低電平或高電平，或通過外部電阻器將 OE 引腳拉至低電平或高電平。 | 不適用。 | ||||
| vOE1#/SBI_IN | OEb10_SBI_IN | 19 | I | ||||
| vOE2# | OEb7 | 21 | I | RC19008 具有一個(gè)內(nèi)部上拉電阻器，而 LMKDB1108 具有一個(gè)內(nèi)部下拉電阻器。TI 決定將 DB2000QL 的規(guī)定作為指南，其中指出 OE 引腳需要內(nèi)部下拉電阻器。 | 請(qǐng)勿將這些引腳懸空，并且不要依賴于內(nèi)部電阻器。通過外部控制器將 OE 引腳驅(qū)動(dòng)為低電平或高電平，或通過外部電阻器將 OE 引腳拉至低電平或高電平。 | ||
| vOE3# | OEb6 | 27 | I | ||||
| vOE4#/SBI_CLK | OEb5_SBI_CLK | 30 | I | OE 模式 | SBI 模式 | OE 模式 | SBI 模式 |
| RC19008 具有一個(gè)內(nèi)部上拉電阻器，而 LMKDB1108 具有一個(gè)內(nèi)部下拉電阻器。TI 決定將 DB2000QL 的規(guī)定作為指南，其中指出 OE 引腳需要內(nèi)部下拉電阻器。 | 無差異。 | 請(qǐng)勿將此引腳懸空并取決于 LMKDB1108 的內(nèi)部下拉電阻器。通過外部控制器將 OE 引腳驅(qū)動(dòng)為低電平或高電平，或通過外部電阻器將 OE 引腳拉至低電平或高電平。 | 不適用。 | ||||
| vOE5# | OEb3 | 33 | I | RC19008 具有一個(gè)內(nèi)部上拉電阻器，而 LMKDB1108 具有一個(gè)內(nèi)部下拉電阻器。TI 決定將 DB2000QL 的規(guī)定作為指南，其中指出 OE 引腳需要內(nèi)部下拉電阻器。 | 請(qǐng)勿將此引腳懸空，并且不要依賴于內(nèi)部電阻器。通過外部控制器將 OE 引腳驅(qū)動(dòng)為低電平或高電平，或通過外部電阻器將 OE 引腳拉至低電平或高電平。 | ||
| vOE6#/SBI_OUT | OEb2_SBI_OUT | 34 | I | OE 模式 | SBI 模式 | OE 模式 | SBI 模式 |
| RC19008 具有一個(gè)內(nèi)部上拉電阻器，而 LMKDB1108 具有一個(gè)內(nèi)部下拉電阻器。TI 決定遵循 DB2000QL 的規(guī)定，其中指出 OE 引腳需要內(nèi)部下拉電阻器。 | 無差異。 | 請(qǐng)勿將此引腳懸空，并且不要依賴于內(nèi)部電阻器。通過外部控制器將 OE 引腳驅(qū)動(dòng)為低電平或高電平，或通過外部電阻器將 OE 引腳拉至低電平或高電平。 | 不適用。 | ||||
| vOE7# | OEb1 | 40 | I | RC19008 具有一個(gè)內(nèi)部上拉電阻器，而 LMKDB1108 具有一個(gè)內(nèi)部下拉電阻器。TI 決定遵循 DB2000QL 的規(guī)定，其中指出 OE 引腳需要內(nèi)部下拉電阻器。 | 請(qǐng)勿將此引腳懸空，并且不要依賴于內(nèi)部電阻器。通過外部控制器將 OE 引腳驅(qū)動(dòng)為低電平或高電平，或通過外部電阻器將 OE 引腳拉至低電平或高電平。 | ||
| 通信 | |||||||
| SMB_DATA | SDATA | 5 | I/O | 無差異 | 不適用。 | ||
| SMB_CLK | SCLK | 6 | I | ||||
| vSBI_EN | SBI_ENQ | 11 | I | ||||
| ^vSADR1_tri | SADR_tri1 | 3 | I | ||||
| ^vSADR0_tri | SADR_tri0 | 4 | I | ||||
| 電源 | |||||||
| VDDA | VDDDIG | 7 | P | 無需對(duì)該引腳進(jìn)行任何更改，即可完成直接替換。RC19008 和 LMKDB1108 的引腳名稱和功能有所不同。TI 決定將 DB2000QL 的規(guī)定作為指南，使用一個(gè)輸入接收電源引腳，并根據(jù)此規(guī)定命名該引腳。DB2000QL 的定義將此引腳命名為 VDDA。Renesas 似乎沒有遵循 DB2000QL 的定義，沒有對(duì) RC19008 使用輸入接收器電源引腳。 | 不需要更改。使用與 RC19008 相同的電源濾波方式。 | ||
| VDD | VDDCLK | 10 | P | 無差異 | |||
| VDD | VDDCLK | 13 | P | ||||
| VDD | VDDCLK | 20 | P | ||||
| VDD | VDDCLK | 26 | P | ||||
| VDD | VDDCLK | 37 | P | ||||
| 其他 | |||||||
| DAP | EPAD | GND/41 | G | 無差異 | 不適用。 | ||
| LOS# | LOSb | 1 | O | ||||
| ^SLEWRATE_SEL | SLEWRATE_SEL | 2 | I | ||||
| vPWRGD/PWRDN# | PWRGD_PWRDNb | 12 | I | RC19008 具有一個(gè)內(nèi)部上拉電阻器，而 LMKDB1108 具有一個(gè)內(nèi)部下拉電阻器。TI 將 DB2000QL 規(guī)定作為指南，其中指出 PWRGD/PWRDN# 引腳需要一個(gè)內(nèi)部下拉電阻器。 | 請(qǐng)勿將此引腳懸空，并且不要依賴于內(nèi)部電阻器。通過外部控制器將引腳驅(qū)動(dòng)為低電平或高電平，或者通過外部電阻器將引腳拉至低電平或高電平。 | ||