ZHCADR6 November 2021 TLV3601 , TLV3601-Q1 , TLV3603 , TLV3603-Q1
設(shè)計步驟
完整設(shè)計電路步驟 1：使用 TLV3604 生成 LVDS
TLV3604 同相輸入由 100mV、3ns 脈沖和 2.5V 直流失調(diào)電壓 (VPULSE) 驅(qū)動。
使用 TLV3604 生成 LVDS步驟 2：使用 TLV3601 進行 LVDS 至單端輸出的轉(zhuǎn)換
TLV3604 的 LVDS 輸出（LVDS_H 和 LVDS_L）用于驅(qū)動 TLV3601 的輸入。由于 TLV3604 的輸出端接有 100? 負(fù)載，因此該負(fù)載上的電壓可以差分驅(qū)動 TLV3601 的輸入。
連接 TLV3601步驟 3：配置 GaN FET 驅(qū)動器
LMG1020 使能引腳（TINA 仿真模型中的 INM）處于低電平有效，因此可以接地以保持 LMG1020 啟用。輸出上的串聯(lián)電阻遵循 LMG1020 適用于 1ns 脈沖寬度應(yīng)用的 5V、7A/5A 低側(cè) GaN 和 MOSFET 驅(qū)動器 數(shù)據(jù)表 典型應(yīng)用 一節(jié)建議的最小值為 2?。然后，短路輸出驅(qū)動 EPC2019 GaN FET (V_GATE) 的柵極。LMG1020 輸入由 TLV3601 的輸出 (TLV3601_OUT) 驅(qū)動。
LMG1020 配置步驟 4：連接 EPC2019 GaN FET
GaN FET 通過 1? 負(fù)載控制 10V 電源電流。為安全起見，肖特基二極管與負(fù)載并聯(lián)放置，以確保負(fù)載兩端的電壓不超過 20V。
低側(cè) GaN FET 連接