ZHCAD86 October 2023 TPSM63610
2.1 附加旁路電容器和肖特基二極管
如圖 2-1 中所示，使用陶瓷旁路電容器 CBYPS，最小電容為 10μF。必須考慮額定電壓，因為該電容器將承受等于 VIN 和 VOUT 之間的完整電壓范圍的應(yīng)力。
為了使系統(tǒng)保持穩(wěn)定，必須有一個輸入電源電容器來幫助抑制可能耦合到電路中的高頻噪聲。具有中等 ESR 的電解電容器有助于抑制長電源引線引起的任何輸入電源振鈴。使用 TPSM63610EVM 時，必須在 VIN 和 SYS_GND 之間添加 CBULK 電容器。
考慮到添加 CBYPS 電容器會引入從 VIN 到 VOUT 的交流路徑，并可能導(dǎo)致瞬態(tài)響應(yīng)惡化。將 VIN 施加到電路時，旁路電容器上的此 dV/dt 會產(chǎn)生一個必須返回接地以完成環(huán)路的電流。該電流可能流過 MOSFET 的內(nèi)部低側(cè)體二極管和電感器，再返回地。對于這種情況，建議在 -VOUT 和 SYS GND 之間放置一個肖特基二極管。如果預(yù)計會出現(xiàn)較大的線路瞬變，請增大輸出電容以使輸出電壓保持在可接受的電平范圍內(nèi)。
圖 2-1 TPSM63610 反相降壓/升壓原理圖