ZHCACS9 june 2023 UCC256402 , UCC256403 , UCC256404
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- 摘要
- 商標(biāo)
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1UCC25640x 常見問題解答
- 1.1 要對 LLC 諧振轉(zhuǎn)換器進(jìn)行時(shí)域仿真和基本諧波分析，應(yīng)使用哪種變壓器模型？
- 1.2 如何將外部柵極驅(qū)動(dòng)器連接到 UCC25640x 以實(shí)現(xiàn)高柵極驅(qū)動(dòng)器電流能力？
- 1.3 在為 PFC-LLC 交流/直流轉(zhuǎn)換器供電時(shí)，建議采用什么順序？
- 1.4 如何在輕負(fù)載期間消除麻煩的 ZCS 檢測？
- 1.5 將 UCC25640x 控制器的 FB 引腳電壓保持在恒定電平的目的是什么？
- 1.6 如何改進(jìn) UCC25640x 控制器 HS 引腳上的壓擺率檢測？
- 1.7 如何以開環(huán)方式運(yùn)行 UCC25640x 控制器？
- 1.8 如果控制器的 VCR 引腳峰峰值電壓超過 6V，會(huì)發(fā)生什么情況？
- 1.9 哪些 UCC25640x 設(shè)置會(huì)影響 LLC 的啟動(dòng)持續(xù)時(shí)間？
- 1.10 導(dǎo)致 LLC 次級側(cè)繞組電流不平衡的原因是什么？
- 1.11 如何使用 UCC25640x 控制器設(shè)計(jì)用于 LLC 的 TL431 補(bǔ)償器
- 1.12 如何設(shè)計(jì)適用于電池充電和 LED 驅(qū)動(dòng)器應(yīng)用的 LLC？
- 1.13 如何實(shí)現(xiàn) CC-CV 反饋控制？
- 1.14 基于負(fù)載功率為 UCC25640x 配置突發(fā)模式閾值的最簡單方法是什么？
- 1.15 如何避免 UCC25640x 控制器進(jìn)入突發(fā)模式？
- 1.16 在突發(fā)模式期間，防止 VCC 降至 VCC 重啟閾值以下的方法是什么？
- 1.17 BMTL 閾值如何影響輸出電壓紋波以及 VCC 引腳電壓和磁化電流？
- 1.18 如何設(shè)計(jì)適用于 LLC 的磁性元件？
- 1.19 在 ZCS 檢測期間以及在沒有有效壓擺率檢測的情況下如何確定 UCC25640x 中的死區(qū)時(shí)間？
- 2參考文獻(xiàn)
1.6 如何改進(jìn) UCC25640x 控制器 HS 引腳上的壓擺率檢測？
UCC25640x 的最小可檢測壓擺率為 100mV/ns。一旦高側(cè)柵極 (HO) 關(guān)閉，低側(cè)柵極 (LO) 就會(huì)在檢測到壓擺率后打開。如果錯(cuò)過壓擺率檢測，死區(qū)時(shí)間取決于諧振電流極性（節(jié) 1.19）。圖 1-10 顯示了提取死區(qū)時(shí)間內(nèi)的壓擺率信息的方法 [10]。在該仿真中，以 Infineon IPW6075CP MOSFET 為例。圖 1-11 顯示了從開關(guān)節(jié)點(diǎn)拉出 0.7A 電流時(shí)的開關(guān)節(jié)點(diǎn)電壓轉(zhuǎn)換。在這里，我們可以觀察到開關(guān)節(jié)點(diǎn)電壓在轉(zhuǎn)換期間具有不同的壓擺率，這是由于開關(guān)節(jié)點(diǎn)上出現(xiàn)的非線性電容（圖 1-15）造成的。該非線性電容是上部（電壓從 0V 變?yōu)?390V）和下部（電壓從 390V 變?yōu)?0V）MOSFET 輸出電容的組合，如圖 1-13 和圖 1-14 所示。使用 SIMetrix 仿真提取每個(gè) MOSFET 的輸出電容圖。圖 1-12 顯示了提取結(jié)果。
圖 1-10 用于得出死區(qū)時(shí)間內(nèi)的開關(guān)節(jié)點(diǎn)壓擺率的 SIMetrix 仿真
圖 1-11 死區(qū)時(shí)間內(nèi)的開關(guān)節(jié)點(diǎn)電壓壓擺率
圖 1-12 使用 SIMetrix 從器件模型中提取輸出電容
圖 1-13 上部 MOSFET 輸出電容與漏源電壓間的關(guān)系
圖 1-15 開關(guān)節(jié)點(diǎn)上產(chǎn)生的輸出電容與開關(guān)節(jié)點(diǎn)電壓間的關(guān)系
圖 1-14 下部 MOSFET 輸出電容與漏源電壓間的關(guān)系可采用以下方法來改進(jìn)壓擺率檢測：
- 提高 MOSFET 關(guān)斷速度：大多數(shù)設(shè)計(jì)在 HO/LO 柵極驅(qū)動(dòng)路徑中包含一個(gè)二極管，以實(shí)現(xiàn)獨(dú)立的導(dǎo)通和關(guān)斷速度。建議使用此類電路來提高柵極驅(qū)動(dòng)的關(guān)斷速度。
- 使用具有較低輸出電容 (Coss) 的 MOSFET：較低的輸出電容可實(shí)現(xiàn)更快的開關(guān)節(jié)點(diǎn)壓擺率。
- 使用較高的突發(fā)模式設(shè)置：較高的突發(fā)模式設(shè)置具有更大的磁化電流幅值，有助于實(shí)現(xiàn) dV/dt 標(biāo)準(zhǔn)（增大突發(fā)閾值會(huì)使 LLC 突發(fā)在突發(fā)數(shù)據(jù)包內(nèi)具有稍高的功率，并且諧振電流幅值可能更高）。
- 減小開關(guān)節(jié)點(diǎn)上的任何緩沖電容
- 降低變壓器的磁化電感以增加輕負(fù)載時(shí)的磁化電流。