ZHCABS0A July 2019 – September 2022 LMX2694-SEP , SN55HVD233-SEP , SN65C1168E-SEP , TL7700-SEP , TLV1704-SEP , TPS73801-SEP , TPS7H1111-SEP , TPS7H1210-SEP , TPS7H2140-SEP , TPS7H2201-SEP , TPS7H2211-SEP , TPS7H2221-SEP , TPS7H3302-SEP , TPS7H4003-SEP , TPS7H4010-SEP , TPS7H4011-SEP , TPS7H4012-SEP , TPS7H4013-SEP , TPS7H5005-SEP , TPS7H5006-SEP , TPS7H5007-SEP , TPS7H5008-SEP , TPS7H5020-SEP , TPS7H6005-SEP , TPS7H6015-SEP , TPS7H6025-SEP
不同的半導體技術具有不同的固有輻射容限（有關詳細信息，請參閱 TI 的電子產(chǎn)品輻射手冊）。同時，使用相同工藝技術或節(jié)點的兩種產(chǎn)品，由于產(chǎn)品的設計方式和工藝使用模塊的不同，可能具有完全不同的輻射響應。因此，客戶需要花費時間和資源來評估這些器件的可靠性和輻射性能。為了縮短開發(fā)時間，德州儀器 (TI) 的 Space EP 產(chǎn)品提供了廣泛的輻射特性，以滿足 LEO 任務的要求。
此外，輻射耐受性不能一概而論，并非適用于所有情況。65nm 工藝可能不受 SEL 的影響，但僅適用于 1.1V 電路。如果產(chǎn)品使用電壓更高的電路，它更有可能有 SEL。具有 EPI 或 SOI 基板并不一定意味著 CMOS 產(chǎn)品對 SEL 抗擾。對于大多數(shù) CMOS 產(chǎn)品，使用 EPI 基板對 SEL 敏感性沒有影響，并且 SOI 僅在場氧化物 (STI) 通過有源層到達埋氧層時才能確保 SEL 抗擾度。
TI 等供應商了解其產(chǎn)品所使用的流程。使用這些信息，TI 可以選擇可能具有較高耐輻射性的產(chǎn)品，并且經(jīng)常通過工藝或設計更改來滿足輻射目標。選擇器件后，TI 會通過重離子、中子置換損傷 (NDD) 和總電離劑量 (TID) 測試來驗證所選方案。
TI 的 Space EP 流程也遵循單一生產(chǎn)流程，并提供輻射批次驗收測試 (RLAT)，以降低批次間產(chǎn)生差異的風險。大多數(shù)晶圓廠沒有針對輻射耐受性的監(jiān)控器或控制裝置?，F(xiàn)代晶圓廠保持非常嚴格的控制以確保一致的電氣性能，但控制的參數(shù)與影響輻射耐受性的參數(shù)不同。例如，鈍化層的化學計量和厚度對電氣性能幾乎沒有影響，但在輻射耐受性方面會有很大變化。在極端的情況下，有一個產(chǎn)品的一個批次通過了 100krad(Si)，而一個月后在同一晶圓廠加工的批次僅通過了 10krad(Si)。因此，輻射批次驗收測試 (RLAT) 非常重要。
客戶可以使用德州儀器 (TI) 的 Space EP 產(chǎn)品進行設計，以幫助將新的航天系統(tǒng)更快地推向市場，并確保這些系統(tǒng)滿足 LEO 任務的輻射要求。每個器件都預先進行了輻射測試，并在產(chǎn)品文件夾中包含的單獨輻射報告中提供了 TID、SEE 和通常的 NDD 特性。為了提高輻射可靠性，Space EP 產(chǎn)品僅使用一個生產(chǎn)流程，并且每批都獲得 RLAT，從而消除了批次間產(chǎn)生差異的風險。