6 兩種方法的比較

這兩種方法都能夠提供電流升壓的驅(qū)動(dòng)輸出。然而，飽和 MOSFET 提供的阻抗較低，因此，基于飽和 MOSFET 的驅(qū)動(dòng)器可實(shí)現(xiàn)的驅(qū)動(dòng)電流要高得多。BJT 驅(qū)動(dòng)器的阻抗相對(duì)較高，因?yàn)樗鼈冊(cè)谟性磪^(qū)域中工作，因而與另一種方法相比，使用同等尺寸的器件時(shí)其驅(qū)動(dòng)電流電平較低。此外，與高電流 MOSFET 相比，高電流 BJT 器件的可用性要低得多。在驅(qū)動(dòng)類似器件時(shí)，由于 BJT 的阻抗相對(duì)較高，基于 BJT 的驅(qū)動(dòng)器將比基于 MOSFET 的驅(qū)動(dòng)器消耗更多的功率。相對(duì)較低的工作溫度可提高基于 MOSFET 的驅(qū)動(dòng)器的可靠性。

基于 BJT 的驅(qū)動(dòng)器的主要優(yōu)點(diǎn)是電路簡(jiǎn)單。它的元件數(shù)較少，且電源方案要簡(jiǎn)單得多。它還允許輕松擴(kuò)展在驅(qū)動(dòng)器 IC 內(nèi)部構(gòu)建的功能，如 DESAT 保護(hù)、米勒鉗位等。對(duì)于基于 MOSFET 的驅(qū)動(dòng)器，這些功能應(yīng)根據(jù)需要在外部構(gòu)建。由于在外部增加了 DESAT 保護(hù)和鉗位電路，柵極驅(qū)動(dòng)器的總體尺寸將增加。然而，基于 MOSFET 的驅(qū)動(dòng)器可提供更大的隔離靈活性，因?yàn)樗灰蕾囉谧儔浩骱蛿?shù)字隔離器。對(duì)于特定的隔離要求，有更多器件可供選擇。