大容量電容器和去耦電容器的主要作用是為系統(tǒng)提供瞬時(shí)電荷，以便主電源不必承擔(dān)提供瞬時(shí)電荷的任務(wù)。更具體地說(shuō)，電源內(nèi)的電流紋波以及由導(dǎo)線和跡線產(chǎn)生的寄生電感引起的電壓尖峰是電源電荷不足導(dǎo)致的。電源的物理位置遠(yuǎn)離電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路，因此從電源到 MOSFET 的路徑中有相當(dāng)多的電感。

小值電容器可以相對(duì)較快地進(jìn)行充放電，而大值電容器可以存儲(chǔ)大量能量，但反應(yīng)相對(duì)較慢。因此，大多數(shù)數(shù)據(jù)表都顯示了在電源上并聯(lián)放置大電容和小電容的推薦元件。在功率級(jí)中，毫法拉或數(shù)百微法拉的電解或陶瓷電容器與一法拉到數(shù)十微法拉的陶瓷電容器結(jié)合使用。

此外，有時(shí)電機(jī)可以充當(dāng)發(fā)電機(jī)，其中大容量電容器和去耦電容器存儲(chǔ)來(lái)自電機(jī)的能量，以防止高側(cè) FET 或 VDRAIN 的漏極電壓升高，如Topic Link Label4.1中所示。

總結(jié)：

• 低值電容器可以快速提供一些電荷，而高值電容器會(huì)隨著時(shí)間的推移逐漸提供大量電荷，因而有助于減少系統(tǒng)中的電壓振鈴和電壓尖峰
• 強(qiáng)烈建議始終使用它們。前期可以將幾個(gè) 100μF 至 330μF 電容器與幾個(gè) 1μF 至 2.2μF 電容器并聯(lián)，因?yàn)橹罂梢赃M(jìn)一步進(jìn)行替換。
• 通用的經(jīng)驗(yàn)法則是 2μF/W；但是，實(shí)際系統(tǒng)結(jié)果差異很大

說(shuō)實(shí)話，此建議不夠明確。此建議并未描述針對(duì)給定布局估算寄生效應(yīng)并通過(guò) SPICE 模擬其影響以獲得理想大容量電容器值的過(guò)程。因此，沒(méi)有給出方程式或數(shù)學(xué)方法。但是，我們想強(qiáng)調(diào)此建議非常實(shí)用。按照此建議進(jìn)行設(shè)計(jì)時(shí)，不必像之前一樣大費(fèi)周章地對(duì)系統(tǒng)進(jìn)行實(shí)際測(cè)試或依賴過(guò)去的系統(tǒng)知識(shí)結(jié)合數(shù)據(jù)表進(jìn)行判斷。如果性能不夠好，那么設(shè)計(jì)人員會(huì)添加更多電容器或更改材料清單，以便用不同值的電容器替換現(xiàn)有電容器來(lái)解決問(wèn)題。

總之，規(guī)劃實(shí)施通用規(guī)則以獲得基準(zhǔn)電容器值，然后對(duì)系統(tǒng)進(jìn)行實(shí)際測(cè)試，可能會(huì)獲得良好的性能而無(wú)需進(jìn)行其他更改，但也可能會(huì)導(dǎo)致性能不佳，需要通過(guò)實(shí)驗(yàn)和迭代過(guò)程解決性能問(wèn)題。