ZHCSOH9D April 2020 – May 2024 UCC27624
PRODUCTION DATA
UCC27624 器件的 VDD 引腳電源電路塊具有內(nèi)部欠壓鎖定 (UVLO) 保護(hù)特性。當(dāng) VDD 上升且電平仍低于 UVLO 閾值時(shí),無論輸入狀態(tài)如何,該電路都會(huì)將輸出保持為低電平。UVLO 通常為 4V,通常具有 300mV 的遲滯。這種遲滯防止了當(dāng) VDD 電源電壓有噪聲時(shí),特別是在 VDD 工作范圍的低端時(shí)產(chǎn)生抖動(dòng)。UVLO 遲滯對(duì)于避免因快速開關(guān)轉(zhuǎn)換(從輔助電源旁路電容器汲取大峰值電流)產(chǎn)生的偏置噪聲而導(dǎo)致的任何誤跳閘也很重要。在驅(qū)動(dòng)新興功率半導(dǎo)體器件(例如先進(jìn)的低柵極電荷快速 MOSFET、GaN FET 和 SiC MOSFET)時(shí),尤為重要的是驅(qū)動(dòng)器必須能夠在寬偏置電壓范圍內(nèi)運(yùn)行,并且具有良好的開關(guān)特性。
上電時(shí),UCC27624 驅(qū)動(dòng)器器件輸出保持低電平,直到 VDD 電壓達(dá)到 UVLO 上升閾值,而不受 INx 和 ENx 等任何其他輸入引腳狀態(tài)的影響。在達(dá)到 UVLO 上升閾值之后,OUT 信號(hào)的幅度隨 VDD 的增加而增加,直到達(dá)到穩(wěn)定狀態(tài) VDD。
為了獲得出色的高速電路性能,并防止由于該器件從 VDD 引腳汲取電流以對(duì)所有內(nèi)部電路進(jìn)行偏置而出現(xiàn)噪聲問題,請(qǐng)使用兩個(gè) VDD 旁路電容器。此外,使用表面貼裝的低 ESR 電容器。應(yīng)將一個(gè) 0.1μF 陶瓷電容器放置在與柵極驅(qū)動(dòng)器器件的 VDD 至 GND 引腳相距小于 1mm 的位置。此外,必須并聯(lián)一個(gè)更大的電容器 (≥ 1μF)(也盡可能靠近驅(qū)動(dòng)器 IC),以便幫助提供負(fù)載所需的高電流峰值。電容器的并聯(lián)組合具有低阻抗特性,以便在應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)預(yù)期的電流電平和開關(guān)頻率。
圖 7-2 上電序列