在大多數(shù)應(yīng)用中，外部低側(cè)功率 MOSFET 的體二極管將 HS 節(jié)點(diǎn)鉗制到接地。某些時(shí)候，在外部低側(cè) MOSFET 的體二極管鉗制此擺幅之前，電路板電容和電感會(huì)導(dǎo)致 HS 節(jié)點(diǎn)在接地電位以下瞬態(tài)擺動(dòng)幾伏。只要不違反規(guī)范并且遵循本節(jié)中提到的條件，該器件中的 HS 引腳就能擺動(dòng)到接地電位以下。

確保 HB 至 HS 工作電壓在建議運(yùn)行條件內(nèi)。因此，如果 HS 引腳瞬態(tài)電壓為 -5V，則 VDD（以及 HB）在理想情況下限制為 12V，以將 HB 至 HS 電壓保持在 17V 以下。通常，當(dāng) HS 擺動(dòng)為負(fù)值時(shí)，HB 瞬間跟隨 HS，因此 HB 至 HS 電壓不會(huì)明顯過沖。

HS 的電勢(shì)必須始終低于 HO。將 HO 拉至規(guī)定條件以下，可能會(huì)激活寄生晶體管，從而導(dǎo)致 HB 電源的電流過大。這樣可能損壞器件。LO 和 VSS 的關(guān)系也是如此。如有必要，可在 HO 和 HS 之間或 LO 和 VSS 之間外接肖特基二極管，保護(hù)器件免受此類瞬變影響。為充分發(fā)揮作用，二極管應(yīng)盡量靠近器件引腳。

為確保柵極驅(qū)動(dòng)器器件正常運(yùn)行，從 HB 到 HS 以及從 VDD 到 VSS 的低 ESR 旁路電容器至關(guān)重要。為充分減小串聯(lián)電感，電容器應(yīng)位于器件引線處。LO 和 HO 的峰值電流可能非常大。旁路電容器的任何串聯(lián)電感都會(huì)在器件引線上引發(fā)電壓振鈴，為確保可靠運(yùn)行，必須避免這種情況發(fā)生。

根據(jù)應(yīng)用電路板設(shè)計(jì)和其他運(yùn)行參數(shù)，除 HS 引腳外，其他引腳（比如 HI 和 LI 輸入引腳）也可能瞬時(shí)擺動(dòng)到接地電位以下。為了適應(yīng)這種運(yùn)行條件，器件的輸入引腳能夠處理絕對(duì)最大值為 -10V 的電壓。根據(jù)布局和其他設(shè)計(jì)限制，輸出 HO 和 LO 有時(shí)也可能出現(xiàn)短時(shí)間瞬態(tài)電壓。因此，該器件還可以在 HO 和 LO 輸出引腳上以小于 100ns 的持續(xù)時(shí)間處理 -2V 瞬變。