ZHCSEM1C December 2015 – September 2025 UCC27211A-Q1
PRODUCTION DATA
封裝選項
機械數據 (封裝 | 引腳)
散熱焊盤機械數據 (封裝 | 引腳)
- DDA|8
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4 引腳配置和功能
圖 4-1 DDA 封裝8 引腳 SO-PowerPAD頂視圖
圖 4-2 D 封裝8 引腳 SOIC底視圖表 4-1 引腳功能
| 引腳 | 類型 | 說明 | |
|---|---|---|---|
| 名稱 | 編號 | ||
| HB | 2 | P | 高側自舉電源。自舉二極管位于片上，但需要外部自舉電容器。將自舉電容器的正極側連接到該引腳。HB 旁路電容器的典型范圍為 0.022μF 至 0.1μF。電容器值取決于高側 MOSFET 的柵極電荷，還必須根據速度和紋波標準進行選擇。 |
| HI | 5 | I | 高側輸入。(1) |
| HO | 3 | O | 高側輸出。連接到高側功率 MOSFET 的柵極。 |
| HS | 4 | P | 高側源極連接。連接到高側功率 MOSFET 的源極。將自舉電容器的負極側連接到該引腳。 |
| LI | 6 | I | 低側輸入。(1) |
| LO | 8 | O | 低側輸出。連接到低側功率 MOSFET 的柵極。 |
| VDD | 1 | P | 低側柵極驅動器的正電源。將該引腳去耦合至 VSS (GND)。典型去耦電容器范圍為 0.22μF 到4.7μF（請參見(2)）。 |
| VSS | 7 | — | 器件的負電源端子，通常為接地。 |
| 散熱焊盤(3) | — | 僅用于 DDA 封裝。以 VSS (GND) 為電氣基準。連接到熱質量較大的布線或 GND 平面以提高熱性能。 | |
(1) 假設 HI 或 LI 輸入連接到低阻抗源信號。假設源輸出阻抗小于 100Ω。如果源阻抗大于 100Ω，請在 HI 和 VSS 之間以及 LI 和 VSS 之間分別添加一個旁路電容器。添加的電容器值取決于引腳上出現的噪聲水平，通常 1nF 至 10nF 應能有效消除可能的噪聲影響。當 HI 或 LI 這兩個引腳上出現噪聲時，會導致 HO 和 LO 故障，產生錯誤的邏輯輸出。
(2) 對于低溫應用，TI 建議使用電容范圍上限值。請遵循 PCB 布局的 布局指南。
(3) 散熱焊盤并不直接連接到封裝的任何引線；而是以電氣方式和熱方式連接至基板，該基板是器件的接地板。