ZHCSDP7C May 2015 – July 2024 UCC27201A-Q1
PRODUCTION DATA
UCC27201A-Q1 高頻 N 溝道 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器由 120V 自舉二極管和高側(cè)/低側(cè)驅(qū)動(dòng)器組成,其中高側(cè)/低側(cè)驅(qū)動(dòng)器配有獨(dú)立輸入,可更大限度提高控制靈活性。這可在半橋式、全橋式、兩開關(guān)正激式和有源箝位正激式轉(zhuǎn)換器中提供 N 溝道 MOSFET 控制。低側(cè)和高側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器是獨(dú)立控制的,并在彼此的接通和關(guān)斷之間實(shí)現(xiàn)了 1ns 的延遲匹配。UCC27201A-Q1 的 HS 引腳最高能夠承受 -18V 電壓,這使得其在電源噪聲環(huán)境下的性能得到了改善。
由于在芯片上集成了一個(gè)自舉二極管,因此無需采用外部分立式二極管。高側(cè)和低側(cè)驅(qū)動(dòng)器均配有欠壓鎖定功能,如果驅(qū)動(dòng)電壓低于規(guī)定的閾值,則強(qiáng)制將輸出置為低電平。
UCC27201A-Q1 具有 TTL 兼容閾值,并且采用帶有散熱焊盤的 8 引腳 SOIC 封裝。
| 器件型號(hào) | 封裝(1) | 本體尺寸(標(biāo)稱值) |
|---|---|---|
| UCC27201A-Q1 | DDA(PowerPADTM SOIC,8) | 4.9mm × 3.9mm |