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ZHCSY85A May 2025 – September 2025 UCC25661

PRODUCTION DATA

封裝選項

請參考 PDF 數(shù)據(jù)表獲取器件具體的封裝圖。

機械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)

DDB|14

散熱焊盤機械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)

訂購信息

zhcsy85a_oa

8.2.2.18 TSET 引腳

TSET 引腳電阻器可設(shè)置 VCR 積分器時間常數(shù)（計時器增益 [k_s]、R_VCR、R_RAMP、C_VCR）和 IPPC 模式下的最小開關(guān)頻率。也可以根據(jù)給定輸出功率下的 V_FBreplica 電壓來確定 TSET 引腳電阻器。

以下信息適用于啟用了 OCP/OLP 去耦 的器件。

根據(jù) f_{SW (Mgmin)} 和在最小輸入電壓和最大輸出功率下的滿負(fù)載工作頻率，選擇 V_TSETB 電壓選項。對于本設(shè)計，由于在 365V 的最小輸入電壓和額定輸出功率下觀察到的滿載工作頻率為 89kHz，因此在設(shè)計計算器中選擇了選項 4。對于選項 #4，V_TSETB 電壓必須介于 0.742V 和 48mV，如表 7-1 所示。

選擇 (V_TSETA-V_TSETB) 電壓，以設(shè)置給定輸出功率下的 FBReplica 幅度。選擇差分電壓，以便在最大輸出功率下，F(xiàn)BReplica 幅度低于 V_FBOLP，如圖 8-2 所示，具有最壞情況下需要的裕度。此設(shè)計從表 7-1 中選擇了選項 5，以便 VCR 積分器時間常數(shù)以及所選的 ISNS 和 BLK 電阻器使 FBReplica 幅度在最大輸入功率下接近 4V，并將 (V_TSETA-V_TSETB) 電壓設(shè)置在 0.850V 和 48mV 之間。表 7-1。

方程式 62.

V_{T S E T B} = \frac{R_{T S E T_l o w e r} ? V 5 P}{R_{T S E T_l o w e r} + R_{T S E T_u p p e r}}

方程式 63.

V_{T S E T A} = V_{T S E T B} + \frac{R_{T S E T_l o w e r} ? R_{T S E T_u p p e r}}{R_{T S E T_l o w e r} + R_{T S E T_u p p e r}} ? I_{T S E T P r g m}

通過求解方程式 62 和方程式 63，R_{TSET_upper} 為 572.78kΩ，R_{TSET_lower} 為 99.81kΩ。

最后，選擇 R_{TSET_upper} = 576kΩ 和 R_{TSET_lower} 100kΩ。

最終 V_TSETB 和 (V_TSETA-V_TSETB) 使用方程式 64 和方程式 65 得出：

方程式 64.

V_{T S E T B} = \frac{100 k ? 5 V}{100 k + 576 k} = 0.74 V

方程式 65.

{(V}_{T S E T A} - V_{T S E T B}) = \frac{100 k ? 576 k}{100 k + 576 k} ? 10 μ A = 0.852 V

圖 8-2 展示了相對于 LLC 輸入功率的 FBReplica 電壓。

為了計算 P_in，以下公式中使用了 92% 效率。

方程式 66.

P_{i n} = \frac{P_{o u t}}{η}

圖 8-2 FBReplica 與 P_in 間的關(guān)系

在反饋光耦合器發(fā)射極和接地之間插入一個 10k? 電阻器可以測出 FBReplica 電壓。假設(shè)在 10k? 電阻器上測得的電壓是 V_10k。使用方程式 67 計算 FBReplica 電壓：

方程式 67.

F B Re p l i c a = (I_{F B} ? \frac{V_{10 k Ω}}{10 k Ω}) \times R_{F B I n t e r n a l}