圖 7-1 顯示了此應(yīng)用在推挽和開漏模式下所需的半緩沖架構(gòu)設(shè)計(jì)。該應(yīng)用使用邊沿速率加速器電路（適用于高到低和低到高邊沿）、高導(dǎo)通電阻 N 溝道導(dǎo)通柵極晶體管（約為 300Ω 至 500Ω）以及上拉電阻器（用來(lái)提供直流偏置和驅(qū)動(dòng)能力）來(lái)滿足這些要求。該設(shè)計(jì)不需要方向控制信號(hào)來(lái)控制從 A 到 B 或從 B 到 A 的數(shù)據(jù)流方向。最終的實(shí)現(xiàn)支持低速開漏操作和高速推挽操作。

圖 7-1 TXS0108E-Q1 單元的架構(gòu)

從 A 端口向 B 端口傳輸數(shù)據(jù)時(shí)，在上升沿期間，單穩(wěn)態(tài)電路 (OS3) 會(huì)在短時(shí)間內(nèi)開啟 PMOS 晶體管 (P2)，從而縮短從低電平到高電平的轉(zhuǎn)換時(shí)間。類似地，從 A 向 B 傳輸數(shù)據(jù)時(shí)，在下降沿期間，單穩(wěn)態(tài)電路 (OS4) 會(huì)在短時(shí)間內(nèi)開啟 N 溝道 MOSFET 晶體管 (N2)，從而加快高電平至低電平轉(zhuǎn)換。B 端口邊沿速率加速器由單穩(wěn)態(tài)電路 OS3 和 OS4、晶體管 P2 和 N2 組成，用于根據(jù)在 A 端口上檢測(cè)到的高電平或低電平快速?gòu)?qiáng)制 B 端口進(jìn)行相應(yīng)的轉(zhuǎn)換。

從 B 端口向 A 端口傳輸數(shù)據(jù)時(shí)，在上升沿期間，單穩(wěn)態(tài)電路 (OS1) 會(huì)在短時(shí)間內(nèi)開啟 PMOS 晶體管 (P1)，從而縮短低電平至高電平的轉(zhuǎn)換時(shí)間。類似地，從 B 向 A 傳輸數(shù)據(jù)時(shí)，在下降沿期間，單穩(wěn)態(tài)電路 (OS2) 會(huì)在短時(shí)間內(nèi)開啟 NMOS 晶體管 (N1)，從而加快高電平至低電平轉(zhuǎn)換。A 端口邊沿速率加速器由單穩(wěn)態(tài)電路 OS1 和 OS2、晶體管 P1 和 N1 元件以及邊沿速率加速器組成，用于根據(jù)在 B 端口上檢測(cè)到的高電平或低電平快速?gòu)?qiáng)制 A 端口進(jìn)行相應(yīng)的轉(zhuǎn)換。