ZHCSYN4 July 2025 TRF1305C1
PRODUCTION DATA
- 1
- 1 特性
- 2 應(yīng)用
- 3 說明
- 4 器件比較表
- 5 引腳配置和功能
- 6 規(guī)格
- 7 詳細(xì)說明
- 8 應(yīng)用和實(shí)施
- 9 器件和文檔支持
- 10修訂歷史記錄
- 11機(jī)械、封裝和可訂購信息
封裝選項(xiàng)
請參考 PDF 數(shù)據(jù)表獲取器件具體的封裝圖。
機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- RPV|12
散熱焊盤機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
訂購信息
6.9 典型特性：S2D 配置
TA = 25℃，VS+= 5V，VS–= 0V，懸空 VOCM、PD 和 MODE 引腳，VICM = 1/2 Vs，S2D 交流耦合輸入/輸出配置（RTERM = 50Ω、ZS = 50Ω、ZL = 100Ω，請參閱 圖 8-1），輸入和輸出剝離至器件引腳，并顯示環(huán)境溫度（除非另有說明）
| PIN = 所有激勵端口均接 50Ω 信號源時為 –20dBm， | ||
| 非激勵端口與 50Ω 端接 |
| PIN = 所有激勵端口均接 50Ω 信號源時為 –20dBm， | ||
| 非激勵端口與 50Ω 端接 |
| PIN = 所有激勵端口均接 50Ω 信號源時為 –20dBm， | ||
| 非激勵端口與 50Ω 端接 |
| PIN = 所有激勵端口均接 50Ω 信號源時為 –20dBm， | ||
| 非激勵端口與 50Ω 端接 |
| PO = –5dBm/子載波，2MHz 子載波間隔 |
| PO = 1dBm/子載波，2MHz 子載波間隔 |
| 在 (2f1 – f2) 頻率下，其中 f1 < f2， |
| PO = 1dBm/子載波，2MHz 子載波間隔 |
| 在 (2f2 – f1) 頻率下，其中 f1 < f2， |
| PO = 1dBm/子載波，2MHz 子載波間隔 |
| 在 (2f1 – f2) 頻率下，其中 f1 < f2， |
| PO = –5dBm/子載波，2MHz 子載波間隔 |
| 在 (2f2 – f1) 頻率下，其中 f1 < f2， |
| PO = –5dBm/子載波，2MHz 子載波間隔 |
| PO = –5dBm/子載波，2MHz 子載波間隔 |
| PO = 1dBm/子載波，2MHz 子載波間隔 |
| PO = 1dBm/子載波，2MHz 子載波間隔 |
| PO = –5dBm/子載波，2MHz 子載波間隔 |
| 直流耦合，VS+ = 2.5V，VS– = –2.5V |
| 具有 50Ω 源阻抗時每個驅(qū)動輸入引腳上的 PIN = –20dBm |
| PIN = 所有激勵端口均接 50Ω 信號源時為 –20dBm， | ||
| 非激勵端口與 50Ω 端接 |
| PIN = 所有激勵端口均接 50Ω 信號源時為 –20dBm， | ||
| 非激勵端口與 50Ω 端接 |
| PIN = 所有激勵端口均接 50Ω 信號源時為 –20dBm， | ||
| 非激勵端口與 50Ω 端接 |
| PIN = 所有激勵端口均接 50Ω 信號源時為 –20dBm， | ||
| 非激勵端口與 50Ω 端接 |
| PO = –5dBm/子載波，2MHz 子載波間隔 |
| PO = 1dBm/子載波，2MHz 子載波間隔 |
| 在 (2f1 – f2) 頻率下，其中 f1 < f2， |
| PO = 1dBm/子載波，2MHz 子載波間隔 |
| 在 (2f2 – f1) 頻率下，其中 f1 < f2， |
| PO = 1dBm/子載波，2MHz 子載波間隔 |
| 在 (2f1 – f2) 頻率下，其中 f1 < f2， |
| PO = –5dBm/子載波，2MHz 子載波間隔 |
| 在 (2f2 – f1) 頻率下，其中 f1 < f2， |
| PO = –5dBm/子載波，2MHz 子載波間隔 |
| PO = –5dBm/子載波，2MHz 子載波間隔 |
| PO = 1dBm/子載波，2MHz 子載波間隔 |
| PO = 1dBm/子載波，2MHz 子載波間隔 |
| PO = –5dBm/子載波，2MHz 子載波間隔 |
| 直流耦合，VS+ = 2.5V，VS– = –2.5V |
| 具有 50Ω 源阻抗時每個驅(qū)動輸入引腳上的 PIN = –20dBm |
| 直流耦合，VS+ = 2.5V，VS– = –2.5V，2 至 5 倍的輸出電壓對應(yīng)的是 VIN 2 至 5 倍的輸入電壓 |